人体静电放电模式介绍

　　人体放电模式（Human-Body Model， HBM）产生的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由电子元器件而进入电子元器件内，再经由电子元器件放电到地去，如图1（a）所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒（ns）的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把电子元器件内的元件烧毁。 不同HBM静电电压相对产 生的瞬间放电电流与时间的关系见于图1（b）。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。图1（b）在不同HBM静电电压下，其静电放电之电流与时间的关系“。

　　有关于HBM的ESD已有工业测试的标准，为现今各国用来判断IC之ESD可靠度的重要依据。图2显示此工业标准（MIL-STD-883C method 3015.7）的等效电路图，其中人体的等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5K Ω。另 \外在国际电子工业标准（EIA/JEDEC STANDARD）中，亦对 此人体放电模式订定测试规范（EIA/JESD22-A114-A），详细情形请参阅该工业标准。

　　

　　表1人体放电模式（HBM）的工业标准测试等效电路及其耐压能力等级分类