普赛斯仪表携功率半导体电性能表征一站式解决方案亮相慕尼黑上海电子展!

        7月8日，2024慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心开幕，本届展会以新能源汽车、储能、智能驾驶、卫星通信、机器人、可穿戴、智能建筑、边缘智能、智慧电源、第三代半导体等应用领域为年度热门趋势，汇聚国内外优质电子企业，旨在打造从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。普赛斯仪表携半导体测试测量设备及测试解决方案亮相E7馆 7162展位。

       半导体产业作为电子信息制造业高地，是经济和社会发展的战略性、先导性和基础性产业， 涉及大量先进科学技术。“碳达峰”、“碳中和”目标也同时强调和指明了能源结构调整方向，再次将节能减排、低碳经济推向高潮。以IGBT为代表的功率半导体是电力电子设备的核心器件，也是能源转换与传输的关键。

        在新能源汽车、光伏储能、轨道交通、工业控制等领域，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体材料由于其具有高温、高压、高频、抗辐射等特点备受青睐，可实现更高效的电子电力设备。然而，由于其上市应用时间相对较短，潜在的缺陷尚未完全暴露，失效机制也尚未清晰。因此，通过科学的测试测量手段，对其进行有效的评估和验证尤为重要。

         通常，IGBT/SiC/GaN功率半导体器件特性测试分为静态特性测试和动态特性测试，静态特性测试主要是表征器件本征特性指标，如击穿电压 V(BR)DSS、漏电流ICES/IDSS/IGES/IGSS、阈值电压VGS(th)、跨导Gfs、压降VF 、导通内阻RDS(on)等；动态特性测试是功率半导体器件的重要特性，如开通特性测试、关断特性测试、FRD反向恢复特性测试、栅极电荷特性测试、短路特性测试、模块电感特性测试、安全工作区SOA特性测试等，主要采用双脉冲测试进行。

 

深度融合， 功率半导体电性能表征一站式解决方案

         普赛斯仪表以核心源表为基础，聚焦功率半导体测试需求，从底层研发着手，大力推动多维技术的融合创新，对核心技术攻坚克难，展会现场展出了功率半导体静态测试一体化解决方案。

 

PMST系列功率器件静态参数测试系统
          PMST系列功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能于一体，不仅提供IV、CV、跨导等多元化的测试功能，具备高电压和大电流特性（10kV/6000A），以及μΩ级精确电阻测量和nA级漏电流测量能力，能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。核心关键仪表均自主研发，凭借其卓越的性能、灵活的配置和易操作的用户界面，成为众多功率半导体厂家静态参数测试的首选工具。

 

 

SPA6100半导体参数分析仪

         SPA6100半导体参数分析仪可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试。产品支持最高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。搭载专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

 

         此外，为适应各种功率器件封装类型的需求，普赛斯仪表可提供多样化、精细化、定制化的夹具解决方案，可覆盖TO单管、半桥模组、三相半桥模组等产品的测试。

 

        展会现场，普赛斯仪表还展示了自主研发的核心源表系列(SMU)、脉冲恒流源 (FIMV)、高压电源 (FIMV、FVMI)、数据采集卡等产品，以及从材料、晶圆到器件的半导体全产业链电性能测试解决方案，吸引了众多业内人士的关注。

 

 

结语

          低碳化、智能化是整个电子信息产业的长远发展目标，也是未来的主旋律，而实现目标需要产业链的协同努力。可靠高效的测试设备，是半导体行业发展和进步不可或缺的重要环节之一。

        普赛斯仪表作为国内首家成功实现高精密源/测量单元SMU产业化的企业，具备多年的技术积累和创新成果，未来将始终坚持创新驱动、持续加大研发投入，以更优异的测试技术助力产业发展!