在GaN快充问世的前两年,许多人还处在观望状态,然而再经过两年之后,GaN在快充上的应用已经愈发成熟,并席卷快充市场。GaN等第三代半导体的出现,为各相关领域带来了突破性的进展。伴随其在5G通信基站和消费电子业务的确定性增长,待技术进一步更新之后,GaN将在未来几年内在高功率电源、新能源汽车、数据中心等领域大范围应用。如果您还在犹豫,不妨先了解下深圳银联宝科技集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率快充电源芯片U8607!
快充电源芯片U8607是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管,可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8607采用原边反馈控制,可节省光耦和TL431,简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET,最高工作频率130kHz,有利于降低电源尺寸。
快充电源芯片U8607主要特征:
1、原边反馈控制,无需光耦和 TL431
2、集成 700V GaN FET 驱动
3、集成高压启动功能
4、谷底锁定 QR 模式
5、最高工作频率 130kHz
6、外置环路补偿
7、驱动电流分档配置
8、内置线损补偿
9、集成完善的保护功能:
输出短路保护 (FB SLP)
输出过压保护 (FB OVP)
输入欠压保护 (Line BOP)
输出过压保护 (Line OVP)
过温保护 (OTP)
VDD 过欠压保护和钳位保护
10、封装形式 ASOP7-T4
快充电源芯片U8607集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS Jitter技术,通过调制峰值电流参考值实现频率抖动,以优化系统EMI。在满载和重载工况下,系统工作在QR工作模式,可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数,同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变,产生噪音,U8607采用了谷底锁定工作模式,在负载一定的情况下,导通谷底数稳定,系统无噪音。
GaN的出现,也影响着电感变压器等充电器中元器件的应用。通常来讲,充电器输出功率的增加,充电器的体积也要相应扩大。然而快充充电器比我们设想的要小、要薄。因为与普通半导体的硅材料相比,GaN的带隙更宽且导热好,能够匹配体积更小的变压器和大功率电感。尤其是变压器,它的形状很大程度上决定了充电器外观的设计。趋势不可挡,想要了解更多GaN快充电源芯片,就找深圳银联宝!
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