市场供不应求，存储价格将延续上涨趋势

去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。

不过，随着3D NAND加速量产，下半年产能若顺利开出，将成为NAND Flash市场最大变数。

2D NAND Flash制程持续往1y/1z纳米进行微缩，如三星及SK海力士去年已转进14纳米，东芝及西部数据（WD）进入15纳米，美光导入16纳米等。但因芯片线宽线距已达物理极限，2D NAND技术推进上已出现发展瓶颈，用1y/1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益，因此，NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND，但也因产能出现排挤，NAND Flash产出量明显减少，导致下半年价格强劲上涨。

去年NAND Flash价格自第2季开始全面回升，涨势直达年底，主流的SSD价格涨幅超过4成，eMMC价格最高逼近6成，完成出乎市场意料。在此一情况下，原厂为了维持竞争优势，决定加速抢进3D NAND市场，而今年亦成为3D NAND市场成长爆发的一年，产能军备竞赛可说是一触即发。

以各原厂的技术进展来看，三星去年进度最快已成功量产3D NAND，去年底出货占比已达35％，最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片，3D NAND的出货比重将在本季达到45％。另外，三星不仅西安厂全面量产3D NAND，韩国Fab 17/18也将投入3D NAND量产。

包括东芝及WD、SK海力士、美光等其它业者，去年是3D NAND制程转换不顺的一年，良率直到去年底才见稳定回升，生产比重均不及1成。不过，今年开始3D NAND量产情况已明显好转，东芝及WD已开始小量生产64层芯片，今年生产主力将开始移转至64层3D NAND，除了Fab 5开始提高投片外，Fab 2将在本季转进生产64层3D NAND，Fab 6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。

SK海力士去年在36层及48层3D NAND的生产上已渐入佳境，M12厂已量产3D NAND，今年决定提升至72层，将在第1季送样，第2季进入小量投片，而韩国M14厂也将在今年全面进入3D NAND量产阶段。

美光与英特尔合作的IM Flash已在去年进行3D NAND量产，去年底第二代64层3D NAND已顺利送样，今年将逐步进入量产，F10x厂也会开始全面转向进行3D NAND投片。英特尔大陆大连厂则已量产3D NAND，并将在今年开始量产新一代XPoint存储器。

电子发烧友网点评：

1.3D Nand Flash 的关键技术是极度复杂的刻蚀和薄膜工艺，与2D NAND Flash技术工艺差别较大。3D NAND Flash技术的发展成熟以及制作当中所必需的精密工艺技术需要长时间打磨。

2.NAND Flash厂商对3D Nand Flash制程转换预期比较高，除了三星，包括东芝、SK海力士、美光、SanDisk以及Intel等业者都在推进3D NAND Flash。但在实际的转换过程中产品良率稳定提升对各厂商是一大考验，也是今年NAND Flash市场最大变数。

3.去年NAND Flash价格自第2季开始全面回升，涨势直达去年底。如果今年3D NAND Flash生产良率不如预期，2D NAND Flash供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场仍将出现货源不足问题，NAND Flash价格将会延续上涨趋势。