半导体新闻
三星电子野心勃勃,全力抢攻晶圆代工业务,该公司宣布第二、三代10纳米制程量产时间,并表示未来将增加8 纳米和6纳米制程,呛声台积电意味浓厚。
三星电子15日新闻稿称,三星电子10纳米FinFET制程良率稳定,能及时满足客户需求,增产情况顺利。 三星第一代 10 纳米制程LPE(Low Power Early、10LPE),于去年10月量产,已经出货7万组硅晶圆。
三星电子晶圆代工主管 Jongshik Yoon 说,10LPE 之后,第二代 10 纳米制程 LPP「10LPP」将在今年底量产。 第三代 10 纳米制程 LPU「10LPU」明年量产,将持续提供业界最具竞争力的制程技术。
与此同时,三星表示,发展路径图增加了8纳米和6纳米制程,效能和功耗都表现更佳,承继10纳米和7纳米的创新技术,更具成本竞争力。 三星将在 5 月 24 日召开「美国三星晶圆代工论坛」(US Samsung Foundry Forum),届时会提供更多细节。
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