追求存储性能，富士通把它做到了极致！

在新材料创新存储技术的研发和生产上，富士通电子作为领导厂商一直在努力追求最极致的存储性能，从FRAM到ReRAM以及NRAM。请随小编一起回顾，我们在追求极致存储技术的道路上的那些最新极致成就吧！

1、业界最低运行功耗64 Kbit FRAM

MB85RC64T采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的频率及1.8V至3.6V宽电源电压运行。此外，其平均电流极低，以3.4 MHz运行时为170 μA；以1 MHz运行时则为80 μA。除了具业界标准8引脚SOP（small outline package）之外，还提供小型8引脚SON（small outline non-leaded package），其适用于低功耗小型化电子设备，例如以电池供电的可穿戴设备、测量设备及智能电表等产品。

富士通利用FRAM非易失性、快速写入、高读写耐力及低功耗等特性，将其应用于可穿戴设备市场和IoT市场的无电池解决方案。

产品规格

运行电压：1.8v – 3.6 v

低功耗：有效电流170 μA（3.4MHz典型值）– 80 μA（1MHz典型值）

待机电流：8.0 μA（Typ）

保证读/写周期：10兆次

2、尺寸最小的1 Mb FRAM SPI接口器件

MB85RS1MT采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09× 2.28 × 0.33 mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。

MB85RS1MT为智能可穿戴设备提供了理想的内存器件的选择，除了可让终端应用产品的整体体积变小之外，更可让整个系统在写入数据时将功耗降至最低，以延长系统工作时间。

3、最高密度和最快传输速度4Mbit FRAM

为满足市场对FRAM接口速度提升的迫切需求，富士通成功开发出4Mbit FRAM——MB85RQ4ML ，在同类竞品中拥有最高密度和最快传输速度。由于其兼顾高速传输和FRAM的特性，因此特别适用于网络建置、RAID控制器及工业运算等领域。

MB85RQ4ML在FRAM产品线中拥有最高数据传输速度，采用单一1.8V电源供应器QSPI接口，能以108 MHz运作频率达到每秒54 MB的数据传输速度。

富士通以往的产品中，采用44针TSOP封装且拥有16-bit并行接口的4Mbit FRAM传输速度最快，为每秒13 MB。而MB85RQ4ML的数据读写速度领先前者将近四倍之高，且所用引脚数更少。

产品规格

运作电压：1.7 – 1.95伏特

保证读/写周期：10兆次

4、业界最高密度4 Mbit ReRAM

MB85AS4MT将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备更低的功耗及更快的读写速度。适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备，例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备上有绝佳的表现。

MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作，还能通过SPI接口支持最高5 MHz的工作频率，并在读取时仅需极低的工作电流（5MHz频率下平均仅消耗0.2mA），拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。

产品规格

工作电压：1.65 – 3.6V

低功耗：

· 读入工作电流0.2mA（于5MHz）

· 写入工作电流1.3mA（写入周期间）

· 待机电流10µA

· 休眠电流2µA

保证写入周期：120万次

保证读取周期：无限

写入周期（256 位/页）：16毫秒（100%数据倒置）