华为“闪存门”背后拥有一股正能量

存储技术

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最近有华为P10用户对闪存读写速度进行了测试,实际测试的三台P10数据相差惊人。从软件测试截图显示看出,低档跑分为300MB/s左右,中档为600MB/s左右,高档为800MB/s!

网友质疑是华为把EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1混着用!同时,P10内存缩水,运存为DDR3而不是官宣的DDR4!

“不服跑个分!”不少手机玩家和评测机构拿到一款新品之后,大都喜欢用第三方测试软件进行跑分性能测试,常用的有安兔兔、3DMark等。

半导体芯片

图:不同批次华为P10测试成绩差距较大

究竟是怎么回事?

目前市面上同一款安卓手机,经常有多个存储组合版本,每个版本的价格也都不一样。如4GB RAM+64GB ROM,4GB RAM+128GB ROM,又或者是6GB RAM+128GB ROM。

为了保证生产,华为的新旗舰机型P10中使用了eMMc5.1、UFS 2.0和UFS 2.1三种闪存颗粒。理论上来说,它们的读写速度大小关系分别是UFS 2.1》UFS 2.0》eMMc5.1。

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图:eMMC和UFS对比

eMMC和UFS相比的话,就像是电脑上机械硬盘和固态硬盘的差异:UFS支持全双工运行,可同时读写操作;eMMC 是半双工,读写必须分开执行。可以简单理解为双向车道(UFS)和单向车道(eMMC)的不同,UFS读写速度比eMMC更快。

看看华为回应:

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你是如何看待华为闪存门事件?你觉得华为此次事件,背后上下游厂商最受益的是谁?

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