晶丰明源BP3296B高效率非隔离恒流芯片介绍

当前，为了应对全球气候变暖等挑战，国家计划在2060年实现碳中和的目标，而照明行业消耗的能源作为碳排放的重要领域，如何实现照明的低碳、节能和环保成为当下的重要议题。照明设备中，与传统的白炽灯和节能灯相比，高光效LED灯有更优秀的节能效果和更长的使用寿命。 但由于目前光源的材料及技术壁垒难以克服，高光效LED光源不仅成本高昂，也面临着光效提升空间有限的挑战。提高LED驱动效率，可以有效降低光源成本。为了满足市场对于LED照明驱动高效率、低成本和高可靠性的迫切需求，晶丰明源推出BP3296B高效率非隔离恒流芯片。    

BP3296B

BP3296B芯片采用源极驱动控制技术，结合BCM+QR控制模式，在节省外围器件的同时，提高了系统效率。另外，BP3296B芯片内置高压差分采样OVP及特有的过零检测技术，提高抗干扰能力，大幅提高了电源的稳定性和一致性。

01 目标应用

T8灯管、灯丝灯

球泡（非调光/可控硅调光）

02 性能介绍

支持可控硅调光

源极驱动

集成650V高压供电，外置VCC电容

高压差分采样OVP

临界电流控制模式

内置COMP闭环恒流控制

高精度Tonmax

03 典型应用图

方案优势

01 超高系统效率

230V电压输入下，输出为400V 22mA，驱动效率高达96%（含频闪电路）

BP3296B在QR工作模式下，降低MOS导通时电感尖峰电流，提升效率，优化EMI性能。

图1. 普通方案波形图

图2. BP3296B波形图

内置高压差分采样OVP，无需外置OVP电阻，减小损耗，提升效率。

源极驱动技术，降低芯片供电损耗，提升效率。

02 良好的EMI性能

芯片BCM+QR工作模式，优化EMI性能。

03 高可靠性

 图3.  普通方案典型应用图

图4. BP3296B典型应用图  

普通方案：采用外置电阻分压检测OVP，为提升效率，电阻取值较大，由于生产过程杂质残留，潮湿环境，上臂电阻两端容易产生漏电，触发OVP，导致闪灯。

BP3296B：采用高压差分采样OVP，避免漏电触发OVP闪灯，提升可靠性。同时节省OVP电阻，精简外围成本。

BP3296B是一款高性能、高效率的开关电源芯片，内部集成500V MOS、高压差分采样OVP、内置COMP闭环控制，优化芯片外围成本，提高可靠性。调试简单，轻松实现高效率，极大降低灯珠成本，实现LED产品高光效，助力绿色节能照明。

-晶丰明源-

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