艾为电子4通道LDO PMIC AW37004DNR产品介绍

随着手机摄影功能的日益增强和用户对于拍摄体验的不断追求，中高端智能手机在摄像头配置上进行了大量升级。为了丰富焦段、提升成像质量，摄像头的数量不断增加，这也使得供电方案成为了一个亟待解决的问题。

每个摄像头模组都需要稳定、可靠的多路电源支持，以确保拍摄时的清晰度和稳定性。传统的单路LDO供电方案在初期确实能够满足供电需求，但随着摄像头数量的攀升，其缺点也愈发明显。单路LDO外围不仅器件数量多，占板面积大，还增加了手机的制造成本，非常不利于市场竞争。

针对该问题，艾为电子推出一款4通道LDO PMIC——AW37004DNR，它集成了2路DVDD，2路AVDD，专为多个摄像头供电设计，通过集成化设计，在节约成本的同时，还大大减少了外围器件的数量，节省了内部空间，有效解决了当下手机布局面积紧张的问题。此外，AW37004DNR具有1MHz高速I²C接口，并且该芯片功能设置灵活，可配置输出电压、上电时序、输出放电等，可满足摄像头模组的各种需求，是当前摄像头传感器应用的理想选择。

AW37004DNR 产品介绍

- AW37004DNR主要参数 -

VIN1供电电压范围：0.6V~2V

DVDD输出电压范围：0.6V~1.8V

DVDD Dropout电压：100mV@0.8A

DVDD驱动能力：1A (可通过I²C配置到1.3A)

VIN2供电电压范围：3V~5.5V

AVDD输出电压范围：1.2V~4.3V

VIN2静态电流：65µA

VIN2关机电流：0.25µA

AVDD Dropout电压：98mV@0.3A

AVDD驱动能力：0.3A (可通过I²C配置到0.6A)

AVDD PSRR：92dB(Freq=1KHz)

AVDD Noise：10µVrms(IOUT=30mA)

封装：DFN 2mm*2mm*0.75mm-10L package

图1 AW37004DNR封装信息

图2 AW37004DNR典型应用图

产品优势

1集成度高，面积小

AW37004DNR集成了2路DVDD，2路AVDD，与传统的4个单路LDO相比，大大减少了所需的外围元件，使得电路设计更加简洁，外围元件的减少，设计师在布局电路板时也能够更加灵活，高效的利用空间。如图，采用AW37004DNR的电路板方案相比使用四个单路LDO的方案，布局面积能够减少约25%，物料数量减少一半。

图4 采用AW37004DNR的电路板方案

与四个单路LDO的方案效果对比

2DVDD高负载电流、低输入电压

AW37004DR DVDD的负载电流最小1A，可通过I²C配置至1.3A ，高负载电流就意味着高驱动能力。在摄像头模组中，高驱动能力使得系统有更快的启动速度，更流畅的预览和录制体验。高驱动能力能够保证在高分辨率模式下，摄像头模组能够获得稳定的电源供应，从而实现高速数据传输、高帧率的拍摄或复杂的图像处理。另外，高驱动能力还能够支持摄像头模组在高像素密度下正常工作，避免因电流不足导致性能下降或故障。

但是，高分辨率和高像素密度可能会增加功耗，而DVDD采用N-MOSFET LDO架构以及不带电荷泵的设计，在降低输入电压的同时提高效率，从而一定程度上降低了功耗，实现能效比的优化。

3AVDD 高电源抑制比

摄像头作为捕捉图像的关键设备，对于电源的稳定性有着极高的要求。纹波，即电源线上的微小波动，如果得不到有效抑制，会直接影响摄像头的成像质量。AW37004DNR AVDD采用的P-MOSFET LDO架构，通过多级级联电源的设计，显著增强了纹波的抑制效果，而大的带宽特性，更是让AW37004DNR在应对各种频率的干扰时表现出色。无论是高频还是低频的干扰信号，它都能进行有效处理，确保电源的稳定性不受影响，下图为AVDD的PSRR曲线。

图5 AVDD的PSRR曲线

4I²C 配置各种参数

AW37004DNR具有1MHz高速I²C接口，通过I²C接口可轻松配置输出电压、上电时序、输出放电等各种参数，以满足各种工作需求。这种灵活性使得一颗PMIC LDO能够覆盖更多的应用场景，从而减少了因特殊需求而引入新元件的情况，简化了物料管理，降低了开发难度，对于客户而言，这无疑是一种极大的便利，使他们能够更加高效地进行产品开发和生产。

总结

AW37004DNR是一款4通道集成线性稳压器，它包括2通道DVDD和2通道AVDD。DVDD采取N-MOSFET LDO架构，实现高负载电流和低工作电压，AVDD采取P-MOSFET LDO架构，实现高电源抑制比。

基于这些优异性能，AW37004DNR成为摄像头模块供电的理想选择，确保摄像头在各种工作环境下都能输出高质量、低噪声的图像，为用户带来卓越体验。