SK海力士:存储产品控制器预计2至3年内引入Chiplet技术

　　8月27日，据韩国权威科技媒体The Elec及ZDNet Korea联合报道，SK海力士公司的高级管理人员，副总裁（常务）文起一，在韩国当地时间前日的一次重要学术研讨会上发表见解，预测Chiplet（芯粒/小芯片）技术将在未来两到三年内被引入DRAM及NAND存储产品领域。

　　文起一指出，并非所有存储产品的控制器功能都苛求尖端制造工艺，通过Chiplet设计策略，企业能够将那些对工艺要求不高的功能模块迁移至成本效益更高的成熟制程芯粒上实施，此举在不牺牲功能完整性的前提下，可显著削减整体成本。

　　SK海力士正积极在其内部研发Chiplet技术，并已展现出对这一前沿领域的坚定承诺。公司不仅成为了UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）产业联盟的活跃成员，还在2023年成功在全球范围内注册了MOSAIC商标，专门用于Chiplet技术，彰显其在该领域的战略布局与前瞻视野。

　　此外，文起一还就当前HBM（高带宽内存）内存技术中的新兴工艺——混合键合技术面临的挑战发表了看法。他提到，尽管混合键合技术为连接HBM内存各层裸片提供了创新路径，但该技术在实际应用中仍需克服多重难题，包括对CMP（化学机械抛光）工艺精度要求的显著提升，以及封装过程中产生的碎屑污染对HBM内存良率的潜在影响。尽管如此，文起一仍坚信混合键合技术代表了未来的发展趋势，其团队正致力于解决这些挑战，以推动技术进步。