看来这和国大国小没关系。堪比比特币工厂！台积电一台EUV光刻机一天耗电可达3万度

　　近日，比特币价格疯涨已破2.7万大关，创下历史新高！与此同时，“挖矿”业也是高烧不退。此前众多媒体曾曝光过很多“比特币工厂”，一些大的工厂，一小时耗电就高达几万度，令人咂舌。不过，今天我们要介绍的则是另一个耗电大户——芯片代工龙头台积电。

　　根据《天下杂志》报道，全***过去5年用电的增长量，约有1/3都是由台积电贡献的。而随着新一代的可生产5nm工艺的EUV （极紫外光）微影技术的导入，用电量还将会暴增，可达目前主流制程的1.48倍。

　　据了解，目前半导体制程的主流光源是氩氟雷射，波长为 193 纳米，当晶体管尺度已微缩到几十纳米时，就像用一支粗毛笔写蝇头小字一般，生产起来有点力不从心。而极紫外光的波长仅有 13.5 纳米，这也使得 EUV光刻机成为了攻克7nm、5nm甚至更高制程工艺的关键。

　　

　　目前能够生产的EUV光刻机的只有荷兰ASML一家，而EUV光刻机的造价也是非常之高昂。ASML目前最先进的EUV光刻机一台售价高达1.1亿美金，而且还供不应求。据报道显示，此前ASML接到了5台EUV光刻机的订单，其中台积电订走了5台，耗资5.5亿美元。这个价钱，几乎可以买下两台世界最大民航机──空巴 A380。

　　

　　而EUV光刻机除了售价高昂之外，其耗电也是非常之惊人！

　　虽然，艾司摩尔ASML并未公布 EUV光刻机机台的耗电功率，但世界第二大内存制造商、南韩的 SK 海力士曾在 2009 年的 EUV Symposium 表示，“EUV 的能源转换效率（wall plug efficiency）只有 0.02% 左右。”

　　而造成转换率低的一大原因是，极紫外光本身的损耗过大。

　　“极紫外光物理特性与一般常见的紫外光差异极大。这种光非常容易被吸收，连空气都不透光，所以整个生产环境必须抽成真空；同时，也无法以玻璃透镜折射，必须以硅与钼制成的特殊镀膜反射镜，来修正光的前进方向，而且每一次反射仍会损失 3 成能量，但一台 EUV 机台得经过十几面反射镜，将光从光源一路导到晶圆，最后大概只能剩下不到 2% 的光线。”这也是 EUV 机台如此耗电的主因之一。

　　如果按照前面的EUV能源转换效率只有0.02% 来计算，目前先进的能输出 250 瓦功率的 EUV的机台，需要输入0.125万千瓦的电力才能达到，这个耗电量是传统氩氟雷射的 10 倍以上。换句话来说，就是一台输出功率250W的EUV机器工作一天，将会消耗3万度电，这个数字确实吓人。

　　根据芯智讯了解，要想达到 250 瓦功率的 EUV输出，需要将多台13kW CO2激光器串联接通达到所需的功率要求，最终从等离子体源产生所需的EUV光输出。高科技产生极紫外光的过程非常低效，过去被人们比拟为“用核反应堆提供动力”，但也成为了满足半导体工业批量生产要求扩展EUV输出功率的唯一可行方式。

　　另外需要指出的是，如此大的耗电量也不可避免的带来了很大的发热量，因此需要部署相应的冷却系统，而这也将非常的耗电。