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电源噪声测量最佳解决方案
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2017-08-29
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当今的计算机、PAD、手机、通信系统设备等电子产品，处理速度越来越快，运算能力越来越强，其电源的设计也越来越复杂。进入 21 世纪后，芯片的制作工艺由 0.18um 逐步升级到了 95nm、65nm、45nm，晶体管的集成度更高、主频更高、供电电压更低，这给产品的电路设计与调试带来了更大的挑战。在 90年代，芯片的供电通常是 5V 和 3.3V，使用 CMOS 或 TTL 电平，而现在，很多数字电路芯片的核心电压以及 IO 电平都小于 3.3V，以最常用的内存芯片为例，最古老的 SDR SDRAM 供电电压为 3.3V，DDR SDRAM为 2.5V，DDR2 为 1.8V，DDR3 为 1.5V，而最新的 DDR4 的供电电压为 1.2V，其 VREF 只有 0.6V。这些电路的供电电压越来越小，对电源噪声的要求也更加严格，如何设计低噪声的电源、并且准确测量其电源噪声非常关键，本文将从电源完整性（Power Integrity，简称 PI）的角度，简要分析电源噪声测试中可能遇到的问题和相应的解决方法。
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