第四代BiCS闪存,究竟是如何演变?

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随着半导体制程发展遇到瓶颈,闪存原厂纷纷通过3D堆叠来实现固态硬盘容量的可持续提升。目前东芝已经提出了创纪录的96层堆叠3D闪存——第四代BiCS闪存。它的内部是如何工作的?一颗闪存芯片又是如何演变成我们能看到的闪存颗粒?接下来为大家解说。

3D闪存是如何记录数据的:

3D闪存具体到不同闪存原厂会有不同的商品名,例如BiCS就是东芝提出的3D闪存构型。闪存的垂直堆叠并不如大家想象中简单,涉及工艺的方方面面,目前国产连平面闪存都造不好,3D闪存也只是提出了24层堆叠的构想,远远落后于国外水平。

3D闪存将原本平面排列的记忆单元改为垂直方向,不同层面之间通过穿孔联系起来,它的运作方式与传统2D平面闪存有着本质的不同,各闪存原厂在转型3D的过程中历尽艰辛,成本居高不下。

熟悉2D闪存结构的朋友知道要一定一个闪存记忆单元,需要有Bit Line(位线)和Word Line(字线)二者配合,而在3D闪存当中还需要再多出一个Select Gate(选择门),三者共同组合才能确立一个特定目标单元进行数据读写。

通过施加不同的电压,闪存记忆单元中存储的数据会发生改变。不断改变Word Line(字线)就能在不同Page(页)之间进行数据写入。

不同闪存记录单元阵列之间,需要通过选择门进行切换寻址。在立体结构中通过3个参数确立一个特定目标,这一点跟英特尔提出的3D XPoint比较相似,但3D闪存是以降成本为目标,3D XPoint则是涨成本求性能。

具体到一个特定闪存记录单元中,可以看到它的独特圆柱形结构:

圆柱体的中心是核心硅晶体,实质记录数据的是蓝色所示的一圈Charge Trap Layer(电荷捕获层)。闪存是通过电位状态来记录数据,Charge Trap Layer正是存储电荷表达电位的核心所在。根据闪存类型的不同,可能会有MLC、TLC和QLC多种不同形式,分别需要表达4种、8种和16种电位状态,实现对2bit、3bit、4bit数据的存储。

3D闪存是如何从晶圆变成颗粒的:

闪存芯片和CPU一样,都是通过光刻技术生产,经过切割后每个晶圆上有大量的小芯片。原厂会通过独有的工艺去检测这些芯片的质量,只取其中最优质的芯片制成原装闪存颗粒。

这样小小的一颗芯片距离颗粒还有一段路要走。

东芝将多达16个小芯片堆叠起来,使用TSV硅通孔技术将其连接,也就是3D闪存垂直堆叠基础上的再度堆叠,实现极高存储密度:

最后封装成下图我们常见的闪存颗粒形式,这些颗粒还将经过原厂的进一步检测,通过之后才会打上原厂标志,成为原装闪存出货。

以96层堆叠的3D闪存再经16叠Die,最终单个闪存颗粒可得到1TB(3D TLC)或1.5TB(3D QLC)的容量。

可以说闪存国产化还有很长的路要走。

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