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基于ARM Cortex_M0的微波功率控制技术研究

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.58 MB | 2017-09-28

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  决定微波功率的主要因素包括: 加在磁控管阳极上的

  高压 U; 控制磁场强度的线圈电流 If; 灯丝变压器上的灯

  丝电流 Im, 微波输出功率 P=ηUI (其中 η 为磁控管的工作

  效 率)。 其中灯丝电流的大小对磁控管功率的影响很小,

  几乎可以忽略不计 [1]

  。 因此磁控管功率大小主要取决于阳

  极高压和磁场线圈电流的大小。 本设计中使磁场线圈电流

  保持稳定, 通过对磁控管阳极高压的控制, 使微波电源输

  出稳定可调的功率。

  为了实现对磁控管阳极高压的有效控制, 本设计采用

  了基于 ARM Cortex-M0 内核的 LPC1114F/301 为控制单位,

  具有很高的性价比, 片上资源丰富, 为设计工作提供了一

  个很好的硬件平台。

基于ARM Cortex_M0的微波功率控制技术研究

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