铌酸锂 LiNbO3 薄膜 IBE 离子束刻蚀

随着基于铌酸锂 LN 的光源, 光调制, 光探测等重要器件的实现, 铌酸锂 LN 光子集成芯片有望像硅基集成电路一样, 成为高速率, 高容量, 低能耗光学信息处理的重要平台, LiNbO3 薄膜刻蚀成特定的图形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀提供解决方案

上海伯东 IBE 离子束刻蚀机针对铌酸锂 LiNbO3 薄膜刻蚀优势
1. 满足刻蚀的线条宽度要求
2. 满足刻蚀准直度要求
3. 可以实现 ICP 和 RIE 无法进行的刻蚀
 

上海伯东 IBE 离子束刻蚀

 

上海伯东 IBE 离子束刻蚀

上海伯东日本原装设计制造离子束刻蚀机 IBE 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%). 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发和量产需要.

上海伯东离子束刻蚀机 IBE 特点 1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度 2. 离子束角度可以±90°任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状 3. 行星旋转载台, 优异的刻蚀均匀性, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%), 4. 直接冷却载台, 循环水冷, 晶圆载台冷却性能优异 5. 间接冷却载台, 间接冷却设计的干式吸盘载台易于设计载台尺寸和数量 6. 设计灵活, 系统设计上尽可能满足客户的具体要求, 提供定制的离子束刻蚀机 7. 真空系统可选德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵 8. 干式载台设计, 掺入金属粉末的干式橡胶卡盘确保了良好的导热性和晶圆附着稳定性

自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!


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