保护电路图
如图1所示,Q0的作用是检测芯片工作温度的。在正常情况下,三极管反射极的电位VE即比较器负端电位比正端电位高,比较器输出低电平,芯片正常工作。当温度升高时,由于三极管EB结电压的是负温度系数,三极管发射极到基极的电压VEB会降低,但是由于基极电位是基准电压VREFl,故三极管的发射极电压即比较器的负端电位会降低。
当温度超过翻转阈值的时候,比较器负端电位会降到比正端的电位VREF2低,比较器就会输出高电平,从而关断功率开关器件,避免芯片被烧毁。迟滞产生电路的作用是在芯片正常工作和过温时产生大小不同的电流,改变比较器的翻转阈值。从而防止功率开关器件在翻转点频繁开启和关断。
过温保护功能的描述当管芯温度超过160℃时,过温保护电路输出控制信号OUTPUT输出为高电平;直到温度降至140℃时,过温保护电路输出控制信号OUTPUT才重新变为低电平。
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