受惠晶片,三星电子Q3业绩创新高,计划明年继续扩产DRAM

　　明年的DRAM市场将会迎来一场局变，因前段时间的存储晶片价格上涨，三星电子在第三季度的净利润再创新高，所以三星计划明年将会继续扩大DRAM的产能，此举有望改变明年DRAM供给紧俏的格局。

　　三星电子日前发布第三季度财报，数据显示，受惠于晶片事业，三星电子第三季营收62兆韩元，年增29.8%，营业盈利较去年同期增长近2倍、净利增长逾1倍，再创新高。市场调查机构预测，三星有可能扩大明年的DRAM产出，有望改变明年DRAM供给紧俏的格局。

　　受惠晶片，三星电子Q3净利创新高

　　受惠于强劲的晶片事业，三星电子第三季营业盈利较去年同期增长近2倍、净利增长逾1倍，再创新高。三星并宣布，在2018至2020年期间，将发放股利共约29兆韩元。

　　三星电子公布，第三季营收年增29.8%，为62兆韩元，符合本月初公布的初估值。营业盈利为14.53兆韩元，较去年同期的5.2兆韩元大幅增长近2倍，符合先前公布的初估值。净利为11.1兆韩元，较去年同期的4.53兆韩元增长逾1倍。

　　第三季晶片部门营业盈利为10兆韩元，较去年同期的3.4兆韩元增长近2倍，创历史新高。移动事业第三季营业盈利为3.3兆韩元，相较去年同期的1000亿韩元。

　　三星表示，存储晶片需求仍将稳健、供应仍然紧俏。软性（flexibe）OLED面板出货增长，以及推出新的硬式（rigid）OLED面板将增进业绩表现。零组件事业仍将是2018年的增长引擎。存储市场的景气依然看好，2018年DRAM市场仍将呈现正增长。第四季年终旺季的智慧手机和平板电脑的需求都可望增长。今年总资本支出估算为46.2兆韩元，其中，半导体事业资本支出预估为29.5兆韩元，显示器面板事业资本支出估为14.1兆韩元。

　　三星并宣布将回购1.9兆韩元自家普通股，并勾销2.3兆韩元的自家股票，第三季股利为每股7000韩元，2018至2020年期间将发放股利共约29兆韩元。2018年的股东回报将较今年提高100%。

　　考虑明年扩大DRAM产能

　　市场调查机构集邦科技发出预警，指出三星有可能扩大明年的DRAM产出，将其明年位元产出供给量由原本预估的18%成长上升至23%，此举有望改变明年DRAM供给紧俏的格局。

　　由于DRAM厂近两年来产能扩张幅度有限，加上制程转换的难度，DRAM供给成长明显较往年放缓，配合著下半年终端市场消费旺季的推波助澜，DRAM合约价自2016年中开启涨价序幕。然而，三星传出在考虑提高竞争者进入门槛下，可能将扩大DRAM产能，恐将改变DRAM供给紧俏格局。

　　集邦指出，以主流标准型存储模组（DDR4 4GB）合约价为例，从去年中开始起涨，由当时的DDR4 4GB 13美元均价拉升至今年第四季合约价30.5美元，报价连续六个季度向上，合计涨幅超过130%，带动相关DRAM大厂获利能力大幅提升。截至目前为止，三星第二季度DRAM事业营业盈利率来到59%，SK海力士也有54%的表现，美光亦达44%。展望第四季，DRAM合约价持续上涨，各家厂商的获利能力亦可望继续攀升。

　　正因DRAM产业已进入寡占格局，理论上厂商对于高获利的运作模式是乐观其成。然而，在连续数季存储价格上升的带动下，SK海力士、美光皆累积许多在手现金。有了丰沛的资源，SK海力士将在年底进行18奈米制程转进，无锡二厂也将在明年兴建，预计2019年产出；美光藉著股价水涨船高之际宣布现金增资，代表未来在盖新厂、扩张产能与制程升级上预做准备，此举无疑激起三星的警戒心，使得三星开始思索DRAM扩产计画。

　　三星可能採取的扩产动作，除了是因应供给吃紧状况，最重要的是藉由提高DRAM产出量，压抑存储价格上涨幅度。虽然短期内的高资本支出将带来折旧费用的提升，并导致获利能力下滑，但三星著眼的是长期的产业布局与保有其在DRAM市场的领先地位，以及与其他DRAM大厂维持1-2年以上的技术差距。此外，明年堪称中国存储发展的元年，三星透过压低DRAM或是NAND的价格，将能提升中国竞争者的进入门槛，并使竞争对手亏损扩大、增加发展难度并减缓其开发速度。

　　集邦指出，三星有意将其平泽厂二楼原定兴建NAND的产线，部分转往生产DRAM，并全数採用18奈米制程，加上原有Line17还有部分空间可以扩产，预计三星此举最多将2018年DRAM产出量8万片到10万片，也代表三星的DRAM产能可能由2017年底的39万片一口气逼近至50万片的水准，亦将带动三星明年位元产出供给量由原本预估的18%成长上升至23%。

　　从整体DRAM供给来看，2018年供给年成长率将来到22.5%，高于今年的19.5%，亦即明年DRAM供需缺口将可能被弥平，预期SK海力士与美光将加入军备竞赛以巩固市占可能性高，为DRAM市场增添新的变数。

　　然而，集邦认为，三星此举将可能改变DRAM市场供给紧俏格局，只是修正目前竞争对手的超额利润，降为较合理获利结构；再者，随著大厂将部分投资重心由NAND Flash转往DRAM，将可望降低明年NAND Flash供过于求的情形，并进而减缓整体NAND Flash平均售价（average selling price）下滑的速度。三星扩厂或许对2018年DRAM市场将带来部分衝击，但就整体存储产业的长期发展来看，未必是负面讯息。