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激光光刻技术与多光束纳秒紫外激光制作硅表面微结构的介绍

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:2.2 MB | 2017-11-13

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  使用波长351nm 的半导体泵浦全固态脉冲激光器作为光源,经过位相光栅分束,形成干涉光场,在硅表面直接刻蚀微结构,制作了周期为0.55μm,槽深可达55nm 的一维微光栅和周期为1.25μm,刻蚀深度45nm 的正交微光栅结构.给出了微光栅形貌结构的扫描电子显微镜和原子力显微镜的测量结果.正交微光栅的一级衍射效率在1.8%~6.3%之间.该研究是改变硅表面微结构,优化硅材料特性的一种新方法,并扩展了大功率激光刻蚀在表面微加工领域的应用。

  本文采用半导体泵浦全固态脉冲激光器作为光源,分别用双光束和四光束进行了干涉刻蚀实验,在硅材料表面制作了一维和二维正交微光栅结构.这种在硅表面直接进行微加工的方法,工艺简洁,运行效率和刻蚀微结构精细程度较高。

激光光刻技术与多光束纳秒紫外激光制作硅表面微结构的介绍

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