瀚海微SD NAND存储功能描述(27)C_SIZE

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描述

C_SIZE

该参数用于计算用户的数据卡容量(不包括安全保护区域),数据卡的内存容量从C_SIZE、C_SIZE MULT和READ_BL_LEN表项计算,计算公式如下:

电源

VDD_R_CURR_MIN, VDD_W_CURR_MIN

最小电源Vdd下的读写电流最大值编码如下:

电源

VDD_R_CURR_MAX, VDD_W_CURR_MAX

最大电源Vdd下的读写电流最大值编码如下:

电源

C_SIZE_MULT

电源

ERASE_BLK_EN                                                               

ERASE_BLK_EN定义要擦除的数据的单位大小的粒度。erase操作可以擦除一个或多个512字节的单元,也可以擦除一个或多个512字节的单元(或扇区)SECTOR_SIZE(见下面的定义)。

当ERASE_BLK_EN=0时,主机可以擦除SECTOR_SIZE的一个或多个单位。擦除将从包含起始地址的扇区开始到包含结束地址的扇区结束。以SECTOR_SIZE=31为例,主机设置Erase Start Address为5,Erase End Address为40,则如下图所示,将擦除0 ~ 63的物理块。

电源

当ERASE_BLK_EN=1时,主机可以擦除一个或多个512字节的单元。所有包含从起始地址到结束地址的数据块都将被擦除。例如,主机设置了“Erase Start Address”为“5”,“Erase End Address”为“40”,则会擦除5 ~ 40的物理块,如下图所示。     

电源

        SECTOR_SIZE

监控程序的内容是一个7命中的字节编码值,确定了写块的数量(参见WRITE_BL LEN)。实际大小是通过增加这个数字来计算的由一个。0表示1块写,127表示128块写。

WP_GRP_SIZE

写保护组大小。这个寄存器的内容是一个7位二进制编码值。定义擦除扇区的数量(参见扇区大小)。实际大小是通过将这个数字增加1来计算的。0表示1个擦除扇区,127表示128个擦除扇区。

WP_GRP_ENABLE

0表示不支持组写保护

R2W_FACTOR

将典型的块程序时间定义为读访问时间的倍数。下表定义了字段格式

电源

WRITE_BL_LEN

最大写数据块长度按2WRITE BL LEN计算。因此,最大块长度可能在512到2048字节之间。写块长度始终支持512字节。注意,在SD存储卡中,WRITE_BL_LEN总是等于READ_BL_LEN。

电源

WRITE_BL_PARTIAL

定义部分块大小是否可以在块写命令中使用。WRITE_BL_partial =0意味着只有WRITE_BL_LEN块大小及其偏导数,以512字节为单位的分辨率,可以用于面向块的数据写入。WRITE_BL_PARTIAL=1意味着也可以使用更小的块。最小块大小为一个字节。

FILE_FORMAT_GRP

选中的文件格式组。该字段对于ROM是只读的.具体可以参考下方表格File Formats

COPY

定义内容是原始的(=0)还是被复制的(=1)。将该位设置为1表示卡片内容是一个副本。除ROM卡外,COPY位是一次性可编程位。

PERM_WRITE_PROTECT

永久保护整个卡的内容不被覆盖或擦除(这张卡的所有写和擦除命令都被永久禁用)。默认值为“0”,即非永久写保护。

TMP_WRITE_PROTECT

暂时保护整个卡的内容不被覆盖或擦除(这张卡的所有写和擦除命令暂时禁用)。该位可以设置和复位。默认值为0。即不受写保护。

FILE_FORMAT

显示卡上的文件格式。该字段对于ROM是只读的。定义如下格式:

电源

CRC

检测CRC字段携带CSD内容的校验和。对于任何CSD修改,主机必须重新计算校验和。默认值对应于初始CSD内容。

CSD Register (CSD Version 2.0)

高容量SD存储卡和扩展容量SD存储卡的CSD Version 2.0定义如下方表格所示。下面的部分描述了SDHC和SDXC卡的CSD字段和相关数据类型。

CSD 2.0版本适用于SDHC和SDXC卡。括号中的字段名设置为fixedl value,表示主机不需要引用这些字段。固定值启用主机。它引用这些字段,以保持与CSD Version 1.0的兼容性。Cell Type字段的编码如下:R=可读,W(1) =一次可写,W=多次可写。

电源

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