晶闸管作为一种重要的半导体器件,其主要参数决定了其在电路中的应用和性能。以下是晶闸管的主要参数概述:
一、电压参数
- 断态重复峰值电压(UDRM) :
- 定义:在门极断路且结温为额定值时,允许重复加在晶闸管上的正向断态最大脉冲电压。
- 注意事项:选用时,一般取该值为正常工作电压峰值的2~3倍作为安全裕量。
- 反向重复峰值电压(URRM) :
- 定义:在门极断路且结温为额定值时,允许重复加在晶闸管上的反向最大脉冲电压。
- 注意事项:同样需要留有安全裕量。
- 通态峰值电压(UTM) :
- 定义:晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压,一般为1.5~2.5V。
- 额定电压(UR) :
- 定义:通常取UDRM和URRM中较小的值作为晶闸管的额定电压。
- 其他电压参数 :
- 如断态不重复峰值电压(UDSM)、反向不重复峰值电压(URSM)等,这些参数描述了晶闸管在特定条件下的电压承受能力。
二、电流参数
- 通态平均电流(IT(AV)) :
- 定义:在环境温度为+40°C和规定的散热冷却条件下,晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单相、工频正弦半波导电时,所允许通过的最大电流平均值。
- 注意事项:实际使用时,应根据电流波形计算容许使用的电流有效值,并留有安全裕量,一般取1.5~2倍。
- 维持电流(IH) :
- 定义:维持晶闸管导通所必需的最小电流。
- 注意事项:维持电流与结温有关,结温越高,维持电流越小,晶闸管越难关断。
- 其他电流参数 :
- 如通态不重复浪涌电流(IT(SM)或IF(SM))、通态有效值电流(IT(RMS))等,这些参数描述了晶闸管在特定条件下的电流承受能力。
三、触发参数
- 触发电压(VGT) :
- 定义:在规定的环境温度和A、K间为一定值正向电压的条件下,使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需的最小门极直流电压。
- 注意事项:触发电压一般较低,通常为1.5V左右。
- 触发电流(IGT) :
- 定义:在规定的环境温度和A、K间为一定值正向电压的条件下,使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需的最小门极直流电流。
四、动态参数
- 开通时间(tgt) :
- 定义:晶闸管从接收到触发信号到完全导通所需的时间。
- 关断时间(tq) :
- 断态电压临界上升率(du/dt) :
- 定义:在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。
- 通态电流临界上升率(di/dt) :
- 定义:在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。
五、其他参数
- 热阻(Rth) :
- 结温(Tj) :
- 功率损耗(Pdiss) :
- 模块绝缘电压(Visol) :
- 定义:晶闸管模块的绝缘性能参数,表示模块能承受的最大绝缘电压。
- 门极峰值功率(PGM) 和 门极平均功率(PG(AV)) :
综上所述,晶闸管的主要参数涵盖了电压、电流、触发、动态以及其他多个方面,这些参数共同决定了晶闸管的工作条件、性能和可靠性。在选用晶闸管时,需要根据具体的应用场景和电路要求来综合考虑这些参数。