RAM为相变存储器提供无缝架构途径

存储技术

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描述

  什么是相变储存器

  相变存储器,简称PCM,相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。

  相变存储器通常是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的一种信息存储装置。

  结构特征

  PCM器件的典型结构PCM器件的典型结构由顶部电极、晶态GST、α/晶态GST[、热绝缘体、电阻(加热器)、底部电极组成。

  RAM是什么存储器?

  在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器[或者内存储器和外存储器],主存储器简称内存。内存在电脑中起着举足轻重的作用。内存一般采用半导体存储单元。

  因为RAM是内存其中最重要的存储器,所以通常我们直接称之为内存。

  内存就是存储程序以及数据的地方,比如当我们在使用WPS处理文稿时,当你在键盘上敲入字符时,它就被存入内存中,当你选择存盘时,内存中的数据才会被存入硬(磁)盘。

  RAM就是既可以从中读取数据,也可以写入数据。当机器电源关闭时,存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存,内存条(SIMM)就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板,它插在计算机中的内存插槽上,以减少RAM集成块占用的空间。

  恒忆新RAM为相变存储器提供无缝架构途径

  2008 年 7 月 29 日,存储巨头恒忆 (Numonyx)宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 产品系列,此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器,不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能,而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器(DRAM)内容平台低成本解决方案的同时,还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 (PCM) 产品提供了无缝的绝佳架构途径。

  无线电话中的数字图像、影像、游戏及其他应用程序都对存储器提出了更高要求,为满足这些要求,大多数的手机制造商会采用结合如NOR、NAND等非挥发性存储器以及成本低廉的RAM技术。其中由于各种存储器类型需要不同的硬件和软件接口,经常迫使设计人员在存储系统性能与支持更多接口之间得做出妥协,因而提高系统成本。

  恒忆Velocity LP NV-RAM将系统中不同的存储器的特性结合在一个广为接受LPDDR 接口上,有助于简化系统架构、提升速度并降低成本。由于此非挥发性存储器也具有执行功能,因此设计人员可以 RAM的 速度读取数字内容,并降低系统的 LP RAM 需求以减少存储系统成本,此接口同时可协助系统设计人员使用相同架构来扩充存储系统,以支持从低端到高端的各种电话。

  恒忆无线通讯产品事业部副总裁暨总经理 Marco Dallabora 表示,凭借恒忆在无线非挥发存储器市场的领先地位,恒忆Velocity LP NV-RAM 采用业经验证的 65纳米非挥发存储器技术,率先推出 LPDDR-NVM 接口。恒忆的目标是协助 OEM 推出符合成本效益的高性能手机,并开始针对无线市场推出基于 PCM 的器件。

  恒忆Velocity LP NV-RAM 系列与 2007 年 11 月所发布的 JEDEC 低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) NVM 标准兼容。恒忆将持续推出新产品来迎合产业未来新一代接口标准,此次开发的产品是推出更快速非挥发性存储器的第一步,并借此降低移动平台加载额外 RAM 的需求。

  在研发Velocity LP NV-RAM 系列产品过程中,恒忆便积极与产业链及客户合作,预期LPDDR NV-RAM 解决方案将在 2009 年面市。ARM 处理器部门营运暨光纤 IP 副总裁 Keith Clarke 表示,LPDDR-NVM 接口具有显著优势,使开发人员得以实现ARM*架构的移动应用。ARM与恒忆密切合作,使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 动态存储控制器能够搭配恒忆Velocity LP NV-RAM 解决方案,主要合作伙伴目前也已经顺利采用此款产品。

  以软件与封装提高价值

  除了提供创新的 NVM 硅产品外,恒忆也提供创新的软件解决方案。它所推出的高级 XIP 文件系统 (AXFS,Advanced XIP File System)让软件设计人员和架构人员能够运用单一文件系统,支持 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技术,以及日后的 PCM 型产品。AXFS 软件可压缩未使用的代码页,协助设计人员得以在特定密度下多获得 50%的储存量,并最优化设计过程中的系统层级效能与成本,同时减少 RAM 需求以降低系统功耗。

  通过创新的封装技术,恒忆运用单一的封装层迭(package-on-package)解决方案提升共享 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的优势,设计人员可结合处理器推出高性能而低成本的存储解决方案。在同一总线安装 RAM 和 Velocity LP NV-RAM,恒忆使存储器能够相互堆栈,节省电路板的实体空间或「存储体积」

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