基于7nm打造的HBM3/DDR5内存技术参数公布

　　据报道，Rambus首次公布HBM3/DDR5内存技术参数，最大的关注点在于都是由7nm工艺制造。7nm工艺被认为是极限，因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能，7nm是一项非常复杂的技术。

　　不是很懂这家公司，曾经的“专利流氓”Rambus今天居然公开了DDR5内存和HBM3存储的技术参数。

　　报道称，Rambus的规划显示，HBM3基于7nm工艺制造，带宽高达4GT/s，封装架构更加复杂。

　

　　按照单芯片1024bit位宽，速度就可以实现512GB/s到1TB/s，也就是比HBM2直接翻了两番。

　　至于DDR5内存，设计目标I/O带宽6.4Gbps，总带宽51.2GB/s，频率4800~6400MHz，预取位数16bit，均比DDR4翻番。

　　其实在今年9月，Rambus就号称在实验室搞定了第一块完整工况的DDR5验证产品，电压还只有1.1V。

　　然而，必须指出的是，至少在整个2018年，HBM3/DDR5的影子都不会见到，最快最快也需要2019年。

　　Rambus到底是用PPT吓人还是真有几把刷子，那就不得而知了。只希望这种技术出来以后，不要再凭借专利去到处“咬人”，而且当年Intel因为硬上Rambus RDRAM被结结实实坑了一把。