欧司朗牵头开发一款高功率、面向大众市场的紫外LED芯片

 

欧司朗光电半导体（Osram Opto Semiconductors）表示，目前正牵头一个由政府出资的研究小组，共同开发一款高功率、面向大众市场的紫外（UV）LED芯片。紫外光可用于各种应用，如固化（干燥）、消毒、生产、医药和生命科学。传统的非LED光源，如汞蒸气灯，具有一定的潜在危害。而且市场上的许多UV LED芯片在某些有用的波长上发光不具有成本优势。

欧司朗表示：“我们合作的目标是提供高功率紫外LED以覆盖各种应用”，“这些LED将最终取代传统的、含汞的UV光源。”

欧司朗表示，新的高功率芯片“也有可能开辟新的应用领域。”

UV对LED制造商来说是一个新兴领域。供应商包括RayVio、Nikkiso、Vital Vio、Sensor Electronic Technology、以及LG Innotek等。

由欧司朗牵头的研究小组由德国联邦教育和研究部（BMBF）资助。它希望在2020年前开发一款250nm波长到310nm左右的原型，涵盖部分UV-B和UV-C光谱。

一般紫外光的范围是约100nm到约380或400nm。它是光谱中的短波不可见的部分。

欧司朗发布了一张正在开发中的UV LED芯片照。该照来自德国莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所（Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik (FBH)）。

其中一个挑战是提高UV-B和UV-C光谱的效率，这要求材料上有突破，并且扩展了UV-A固化效用以外的应用。欧司朗牵头的团队正使用氮化镓铝（AlGaN）材料系统。

除了欧司朗之外，另外四个研究小组是：德国莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所（Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik (FBH)）；柏林工业大学；LayTec AG；和FBH拆分的UVphototonics NT GmbH。

欧司朗负责270-290-nm的范围，FBH处理290-310nm范围的外延，并将外延晶圆加工进UV芯片中；柏林工业大学在AlGaN领域有专业技术，将重点放在250-270 nm的范围；LayTec为控制外延和等离子刻蚀系统提供技术；FBH优化芯片设计，着眼于高电流和高效冷却。此外，它还从其他合作伙伴那里收集过程数据，并提供给研究小组。

欧司朗表示：“新型LED的光输出在300±10 nm处有望超过120 mW，在280±10 nm处超过140 mW，在260±10 nm处超过80 mW”，“研究小组也正在对LED的老化行为作出重大改进，以便它们可以使用更长时间、更经济地运行。”