2018年是第三代半导体产业化的关键期 2025年核心器件国产化率达到95%

　　据报道，近日第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在半导体发展战略研讨会上表示，2018年是第三代半导体产业化准备的关键期。到2025年，第三代半导体器件将在移动通信、高效电能管理中国产化率占50%；LED通用照明市场占有率达到80%，核心器件国产化率达到95%；第三代半导体器件在新能源汽车、消费类电子领域实现规模应用。

　　第三代半导体是以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料。目前，第一代、第二代半导体技术在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升已经逼近材料的物理极限，难以支撑新一代信息技术的可持续发展，难以应对能源与环境面临的严峻挑战，难以满足高新技术及其产业发展，迫切需要发展新一代半导体技术。

　　中微半导体副总经理季华认为，第三代半导体产业化需要从全产业链考虑，不仅是制造和设备，还包括关键零部件。同时，国产设备企业需要参与全球竞争，才能够实现健康稳健发展。

　　吴玲还称，我国第三代半导体创新发展的时机已经成熟，处于重要窗口期。但目前仍面临多重紧迫性。其中，光电子材料和器件领域与国际先进水平相比处于并跑状态；功率半导体材料和器件、射频材料和器件与国际先进水平相比处于跟跑状态。目前国际上已经有近10家企业具有商业化产品，英飞凌量产器件2018年将大规模推出。此外，还有产业化生产线薄弱、技术团队缺乏等问题。

　　乾照光电董事长金张育表示，第三代半导体凭借其宽禁带、高热导带、高击穿电场、高抗辐射性能等特点，市场应用潜力巨大。公司预计通过投资和并购的方式，吸收优秀人才与研发力度走在行业前端。

　　2018年第三代半导体设备行业将迎来景气拐点。本轮投资以大陆本土企业为主导，国产设备公司将进入订单和业绩兑现期。半导体行业作为战略新兴产业，技术突破与下游投资加速，将带来设备需求规模快速扩张。

　　2016年，国务院印发《“十三五”国家科技创新规划》，发布面向2030年的6项重大科技项目和9项重大工程，第三代半导体是“重点新材料研发及应用”重大项目的组成部分。同年，国务院成立国家新材料产业发展领导小组，贯彻实施制造强国战略，加快推进新材料产业发展。