东芝计划建第7座闪存工厂(Fab7),与三星、Intel一决高下

据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。

2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年，零售价格的暴涨带动了厂商的营收，同时还对获利有了巨大贡献。 所以，当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商，包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导，东芝就最新宣布，将拿出 70 亿日圆的金额，准备兴建第 7 座闪存工厂（Fab7），地点就在日本的四日市（Yokkaichi）。

事实上，目前东芝的第 6 座工厂（Fab 6）正在建设当中，预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过，面对市场的强烈需求，东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。 因此，东芝在 21 日宣布，将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建，选址就位于日本四日市。 日前，东芝才就出售半导体业务一事已经和威腾电子握手言和，达成协议。 未来东芝需要威腾电子的数据提供，以使得 2018 年的新先进芯片生产线进行投产，以此竞争对手和三星、Intel、及 SK 海力士竞争。

报导进一步指出，目前数据中心和企业服务器强劲 NAND Flash 闪存需求，已经促使东芝扩大在四日市的设备规模。 而且，其他 NAND Flash 闪存供货商，包括了三星与 SK 海力士在 2017 年都宣布完成或开始新厂建造计划。

目前，东芝主要以生产 64 层堆栈的 V-NAND 闪存为主，未来计划在下一步升级到 94 层 V-NAND 闪存生产。 而除了 TLC 规格之外，也将还会有特别的 QLC 规格产品，目的就是为了加强产品的渗透力以提升市场竞争力。

而对于将兴建 Fab7 厂，东芝预计在 2018 年 2 月完成新厂的土地的收购作业，同时会下单建筑材料和基础设备。 据了解，东芝还将根据市场趋势，成立东芝储存岩手县公司，以管理工厂的建设和运营。 整体厂房兴建计划将在 2018 年底前完成，2019 年之后逐步安装设备，并且在年底前开始生产。