通用测试仪器
mos管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,以下为N沟道和P沟道符号。
N沟道mos管符号
P沟道mos管符号
1)用10K档,内有15伏电池。可提供导通电压。
2)因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管。
3)利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便。但要放电时需短路管脚或反充。
4)大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断。
5)大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。
以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏。
如果对新拿到的不明MOS管,可以通过测定来判断脚极,只有准确判定脚的排列,才能正确使用。
①栅极G的测定:用万用表R×100档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是D、S,第三脚为G。
②漏极D、源极S及类型判定:用万用表R×10kΩ档测D、S问正反向电阻,正向电阻约为0.2×10kΩ,反向电阻(5一∞)X100kΩ。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与G碰一下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:
a.若读数由原来较大值变为0(0×10kΩ),则红表笔所接为S,黑表笔为D。用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω,还可证明该管为N沟道。
b.若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触G,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为0Ω,则黑表笔接的是S极、红表笔为D极,用红表笔接触G极有效,该MOS管为P沟道。
其步骤如下:
1)把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
2)用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和源极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。
3)把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大,则MOS管漏电,不变则完好。
4)然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,如果指针立即返回无穷大,则MOS完好。
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