基本放大电路是电子学中的一个核心概念,它涉及到将输入信号放大到更高功率级别的过程。放大电路可以是模拟的,也可以是数字的,但在这里,我们将专注于模拟放大电路,特别是双极型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)放大器,因为它们是最常见的放大器类型。
放大电路的主要功能是将微弱的输入信号放大到足以驱动负载(如扬声器、电机等)的较大信号。放大器可以是单级或多级,单级放大器由一个放大元件(如晶体管)和相关电路组成,而多级放大器则由多个这样的级联组成,以实现更高的增益。
双极型晶体管由两个PN结组成,分为NPN和PNP两种类型。在NPN晶体管中,基极(B)是P型半导体,而发射极(E)和集电极(C)是N型半导体。PNP晶体管则相反,基极是N型,发射极和集电极是P型。
BJT的工作原理基于注入和复合原理。当基极-发射极结正向偏置时,电子从发射极注入到基极,然后被集电极吸引,形成集电极电流。基极电流很小,因为大部分注入的电子都流向了集电极。
BJT放大电路主要有三种配置:共发射极(CE)、共基极(CB)和共集电极(CC)。每种配置都有其特定的应用和特点。
为了使BJT放大器正常工作,必须正确偏置晶体管。这通常涉及使用分压器为基极提供适当的直流电压,以及使用电阻和/或稳压二极管为集电极和发射极提供适当的偏置。
在动态分析中,我们考虑放大器对交流(AC)信号的响应。这涉及到小信号模型,其中晶体管的动态电阻和跨导被用来确定放大器的增益、输入阻抗和输出阻抗。
MOSFET由一个绝缘层(通常是二氧化硅)隔开的两个金属层组成,因此得名。它有三种类型:N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型和P沟道耗尽型。在N沟道增强型MOSFET中,源极(S)和漏极(D)是N型半导体,而衬底(B)是P型。当栅极(G)上的电压高于阈值电压时,会在源极和漏极之间形成一个导电通道。
MOSFET放大电路也可以配置为共源、共栅和共漏。每种配置都有其特定的应用和特点。
MOSFET的偏置通常涉及使用分压器为栅极提供适当的直流电压,以及使用电阻为源极和漏极提供适当的偏置。
MOSFET放大器的动态分析与BJT类似,但使用不同的小信号模型,其中晶体管的动态电阻和跨导被用来确定放大器的增益、输入阻抗和输出阻抗。
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