中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成

国内首条6英寸SiC芯片生产线完成技术调试

近日，中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成，标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成，具备SiC产品的生产条件，下个月产线将正式启动试流片。

该生产线是国内首条6英寸SiC芯片生产线，总建设投资3.5亿元人民币，获得了国家“02”专项、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持。

半导体事业部SiC器件产业化建设团队在时间紧、任务重、无成熟经验可借鉴的情况下，得到中科院微电子所技术支持和协助，攻坚克难，通过缜密繁杂的各方协调、积极推进，安全完成46台(套)工艺、检测测试设备搬入、调试，以及特殊厂务系统调试等一系列高难度、高危险的任务。本月初在各方共同努力下完成了最后一项工艺能力调试。目前，该生产线厂务、动力、工艺、测试条件都已完备，具备SiC产品的生产条件，可以实现4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研发与制造。

SiC单晶材料作为新型第三代半导体材料的代表，与当前主流的第二代硅基半导体材料相比，能够有效提高系统效率、降低能耗、减小系统装置体积与重量、提高系统可靠性。未来，半导体SiC材料制作成的功率器件将支撑起当今节能技术的发展趋向，成为节能装置最核心的部件。SiC生产线工艺调试按期完成，是提高我国核心功率半导体器件和抢占未来科技和产业制高点的需要，将助力公司半导体产业布局前沿技术领域，抢占市场高地。