湖南8家集成电路企业获超5.1亿元意向投资

1.比特大陆考虑导入台积电7nm工艺；

比特大陆今年向台积电下单量逾10万片，且制程从原本的16nm，推向12nm制程，近期更考虑导入台积电最先进的7nm制程，以提升挖矿芯片效能，大举推升台积电7nm产出量，以致外界开始关注是否排挤到其他原本采用7nm客户订单

不过台积电昨天保持沉默，但释出将全力支持这批来自大陆的娇客的态度，主因这批庞大的订单，补足了高端智能手机销售不佳所导致订单下滑的缺口。

台积电表示，包括比特大陆等虚拟客户，台积电早在三年前就归列在新兴客户平台下配合，后来随订单成长，才列入高速运算计算机平台，去年下半年虚拟货币大涨，目前已跃居台积电重要客户群之列，且客户数持续增加中。

台积电估计，去年高速运算业绩比重约20%，预期今年高速运算业绩比重可望达25%；业界预估，台积电今年高速运算业绩可望较去年增加37.5%至43.75%，成长力道强劲，其中最大关键，就是来自比特大陆的订单。

台积电去年受惠比特大陆等下单量大增，大陆客户营收占比由前年的9%增至11%，看好今年可持续大幅成长。

原因这些客户的下单量，年增率都在数倍以上，但今年来自大陆客户营收占比，有多少来自大陆的虚拟货币客户，台积电则不对外透露细节。

2.国内首条G11光掩膜版项目在成都高新区启动；

1月18日，国内首条G11光掩膜版项目——路维光电高世代光掩膜生产基地项目在成都高新区启动。该项目总投资10亿元，由深圳路维光电参与设立的控股公司——成都路维光电有限公司负责项目建设，建成后将成为我国最大的掩膜版制造基地。

G11光掩膜版项目位于成都高新区西部园区，占地面积超过3．6万平方米，计划投资建设6条高世代掩膜版生产线，涵盖TFT－G11及以下、AMOLED等掩膜版生产线，可全面配套国内高世代、新型显示产业，项目预计今年四季度投产。

深圳路维光电股份有限公司（以下简称“路维光电”）是国内研发、生产和销售各类掩模产品的国家高新技术企业，产品应用于平板显示、触控、LED、PCB和半导体IC封装等多个领域，是京东方、天马微电子、长虹、维信诺、三星、索尼等知名企业的供应商。成都路维是路维光电设立的第三家工厂，专注于研发、生产高世代、高精度TFT掩膜产品以及新型掩膜技术的开发。

“光电显示是新一代信息技术的重要组成部分，是光电子产业核心关键。随着技术、产品、市场的不断发展和完善，已经形成千亿美元级产业。”成都路维工厂相关负责人介绍，近十年来，全球显示面板的需求量持续增加，市场前景看好，但由于国内的掩膜版行业起步晚、技术堡垒高，仅能够满足中低端产品市场的需求，高端掩膜版长期依赖进口。“成都路维高世代掩膜版新工厂投产后，将大力推动光掩膜版的国产化、本土化，早日实现我国高端掩膜版产品本土化和掩膜版技术的国际化。”

光电显示是四川省、成都市、成都高新区重点支持发展的主导产业和战略性新兴产业。四川省制定规划，提出要以成都为中心打造全球光电显示产业重要基地。去年，四川省在光电显示行业总投资累计超过1000亿元，预计到2019年，全球超过1／4的柔性显示器件将在四川诞生。

成都高新区相关负责人表示，成都路维高世代掩膜版项目的启动，有助于成都高新区进一步实现从原辅材料、零部件、中间产品、关联产品、整机集成、运营服务的强链补链，打造具有全球影响力的光电显示产业生态圈。下一步，成都高新区将大力促进以新型平板显示产业为核心的电子信息产业集群化发展，加快打造电子信息产业主体功能区，进一步推动区域电子信息产业融入全球产业链高端和价值链核心，助推成都电子信息产业早日迈上万亿级台阶，建成具有国际影响力的电子信息产业基地。 中国网

3.CEVA授权ASR（翱捷科技）提供用于智能手机和IoT的DSP和连接技术；

集微网1月18日消息，CEVA宣布，翱捷科技（上海）有限公司已经获得多种CEVA技术授权许可，用于即将推出的面向智能手机和窄带物联网（NB-IoT）边缘设备的片上系统芯片（SoC）产品。翱捷科技将在其无线产品中融入一系列CEVA IP以提供蜂窝、蓝牙和Wi-Fi连接支持，并实现计算机视觉、语音和音频领域的新兴应用。

翱捷科技首席执行官戴保家评论道：“CEVA为智能和连接设备提供了全面的技术组合，完全满足了我们对高成本效益的低功耗技术的严格要求。作为翱捷科技的重要知识产权合作伙伴，CEVA为我们的产品贡献了巨大的价值，使我们能够为智能手机和IoT市场提供一流的调制解调器、连接、视觉和声音特性。”

CEVA首席执行官Gideon Wertheizer评论说：“我们很高兴地宣布翱捷科技选择在其SoC中部署多种CEVA技术，这肯定了我们作为视觉、语音、蜂窝和连接的一站式IP企业的价值定位。我们期待与翱捷科技建立长期成功的合作关系，助力他们应对新兴的智能手机和IoT市场。”

4.「阿丘科技」完成800万美元A轮融资，DCM和百度风投领投；

36氪今日获悉，此前报道过的高科技创业公司阿丘科技（Aqrose）已完成800万美元A轮融资，由DCM、百度风投（BV）领投，长石资本和天使轮投资机构跟投。 本轮融资将主要用于扩充研发和市场人员，以及打造工业机器人的视觉技术平台。 此前，阿丘科技获得英诺天使和臻云创投的千万元天使轮投资。

阿丘科技主要专注于CV & Robotics 底层技术的研发，并有两条主要的业务线——基于机器学习的视觉检测系统，和基于3D视觉的智能分拣系统。 在成立不到一年的时间内，阿丘科技将这些技术在多个场景中落地。

创始人黄耀表示，公司将继续加大机器学习、3D视觉和Robotics等基础技术的研发和储备。 短期内聚焦质检和分拣两大业务线，重点应用于3C电子、汽车零部件和物流三大领域。 长远来看，坚持以视觉为切入点，将AI和机器人结合，去探索和扩展机器人应用的边界。

DCM董事合伙人曾振宇表示，DCM长期看好利用技术来提高生产效率的大方向。 DCM很荣幸和阿丘合作，共同探索用人工智能改造传统行业的商业模式。 百度风投（BV）CEO刘维表示，机器视觉作为AI大脑的核心信息来源，推动着AI不断开疆拓土。 阿丘作为一家专注于工业机器人视觉技术的前沿科技公司，将大大拓展工业机器人的适用范围，也为工业机器人生态的发展补上一块关键短板。

阿丘科技创始团队来自清华人工智能实验室，近期也吸引了多名行业资深人才加盟。 目前已在昆山、深圳设立办公室，期待更多计算器视觉、机器人等领域专业人才加入，一起去推动AI技术在自动化及机器人领域的应用。

5.湖南8家集成电路企业获超5.1亿元意向投资；

1月18号，湖南省集成电路产业优秀科技创新企业投融资路演会在省科技厅举行。

湖南省集成电路设计与应用产业技术创新战略联盟内的进芯电子、天羿领航、迈克森伟电子等8家企业参加路演，获得意向投资金额5.1亿元。据悉，依托产业技术创新战略联盟开展投融资路演，在湖南省尚属首次。

根据湖南在集成电路产业方面的规划，起步阶段（2015-2017年），湖南将重点扶持2-3家集成电路龙头企业，培育一批以工业控制、轨道交通、数字电视、汽车电子、卫星导航芯片为主业的集成电路企业。

而在发展阶段（2017-2020年），将建成拥有国际先进水平的集成电路特色工艺生产基地。通过制造、设计和市场的联动，推动至少8家集成电路公司上市，实现产业产值突破400亿元，成为国家重点集成电路产业基地。

据了解，近年来，湖南省集成电路产业复合增长率达到50%以上，已初步形成以芯片设计和IGBT为特色的长沙、株洲两大产业集聚区，目前已涵盖集成电路设计、制造、封测、设备以及材料等产业链各环节。

6.半导体所等在拓扑激子绝缘体相研究中取得进展

上世纪60年代，诺贝尔奖获得者Mott提出激子绝缘相，Mott提出考虑库仑屏蔽效应，在半金属体系中电子-空穴配对而形成激子，可能会导致体系失稳，从而在半金属费米面处打开能隙，形成激子绝缘体状态。但迄今为止，实验上观测激子绝缘体相是一个尚未完全解决的关键科学问题。激子绝缘体相存在及其玻色-爱因斯坦凝聚的确凿证据并不充分，主要是由于激子的寿命较短，带来观测上的困难。

InAs/GaSb半导体量子阱系统是重要的红外探测器体系，其能带结构独特，本征情况下会自发形成空间分离的二维电子气和空穴气。由于其电子、空穴的空间分离，激子寿命变长，为研究激子绝缘体提供了良好的平台。在InAs/GaSb半导体量子阱中，通过调节InAs和GaSb层厚，可使GaSb层的价带顶高于InAs层的导带底，体系中可以自发地形成局域于InAs层的电子气和局域于GaSb层的空穴气，两者在实空间分离。美国斯坦福大学张首晟研究组的理论工作证明，InAs/GaSb量子阱的基态是二维量子自旋霍尔绝缘体；美国莱斯大学/北京大学杜瑞瑞实验组在该系统中观察到拓扑边缘态的输运，并发现边缘态输运即使在强磁场下仍能保持。

如果考虑电子-空穴间的库仑作用，即当激子束缚能大于体系的杂化能隙时，理论上猜想该体系基态形成如Mott预言的激子绝缘体相甚至拓扑激子绝缘相。美国莱斯大学/北京大学杜瑞瑞实验组、美国莱斯大学大学Kono实验组和中国科学院半导体研究所常凯理论组，从实验和理论两方面研究InAs/GaSb量子阱中的激子绝缘相。研究员常凯、副研究员娄文凯构造了平行磁场下激子的多带量子多体理论模型，研究激子绝缘相的基态及其独特的色散，发现激子的基态是处于有限动量处的暗激子。在低温且低电子-空穴对密度情形下，体系打开类似BCS超导体中的能隙。通过研究激子的色散关系，提出利用太赫兹透射谱来验证激子绝缘体的存在，指出太赫兹透射谱表现为两个吸收峰，理论计算预言的吸收峰位与实验一致，为激子绝缘相光学观测提供了理论依据。

相关研究成果发表在Nature Communications上。

（a）InAs/GaSb量子阱能谱图；（b）实验装置示意图；（c）激子绝缘体色散关系；（d）激子绝缘体联合态密度；（e）THz吸收谱；（f）-（h） THz吸收谱：固定磁场不同温度（f），固定温度不同磁场（f，h）；（i）带隙与温度关系；（j）测量纵向电导与门电压之间关系；（k）不同磁场强度下InAs/GaSb能谱结构。