半导体外延生长方式介绍

文章来源：晶格半导体

原文作者：晶格半导体

本文简单介绍了几种半导体外延生长方式。  

Si产业链包括衬底、外延、设计、制造、封测等环节。依据工艺不同，半导体硅片可分为研磨片、抛光片、外延片、SOI（在顶层硅和支持衬底间引入一层绝缘埋氧化层）等，其中半导体外延是外延片的重要组成部分。

半导体外延其目的就是在衬底上生长外延层，外延生长方式主要分为气相外延（VPE）、固相外延（SPE）、液相外延（LPE）和分子束外延（MBE），其中气相外延方法最为成熟，在外延工艺中占据主导地位。

气相外延

气相外延是指含外延层材料的物质以气相形式在衬底上发生化学反应，从而生长出外延层的工艺。金属有机化合物气相外延（MOVPE）为VPE中较为先进的外延技术，主要利用金属有机物的热分解反应在衬底上形成气相外延。

液相外延

液相外延是通过降温降低饱和熔体的溶解度，从而在衬底上析出外延层的方法。

固相外延

固相外延是指在衬底上的非晶（或多晶）薄膜（或区域）在高温下退火转化为单晶的方法。

分子束外延

分子束外延是指在真空下将分子束或原子束直接喷射单晶衬底上逐层形成外延层的方法。