芯原戴伟民博士回顾FD-SOI发展历程并分享市场前沿技术

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2024年10月23日，第九届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店召开，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士做开幕致辞，并分享了过往和当前FD-SOI发展的一些情况，以及芯原在FD-SOI提供的解决方案。

芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士

 
全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）是一种平面工艺技术，从结构上看， FD-SOI晶体管的静电特性优于传统体硅技术。埋氧层可以降低源极和漏极之间的寄生电容，还能有效地抑制电子从源极流向漏极，从而大幅降低导致性能下降的漏电流。戴伟民博士在分享中也简单提到了FD-SOI的一些特色，比如在衬底上加一个超薄体（Ultra Thin Body SOI）场效应管，采用全介质隔离等。
 
同时，戴伟民博士也回顾了过去很多年FD-SOI发展的重要的历史节点，如下图所示，其中主要包括：
·2012年意法半导体推出28nm工艺平台；
·2013年Soitec突破了FD-SOI高质量衬底的技术瓶颈；
·2014年芯原和三星宣布联合开发FD-SOI技术；
·2016年上海NSIG宣布收购Soitec 14.5%股权。
 

 
戴伟民博士指出，“过去很多年，我们一直在畅想FD-SOI工艺的发展和前景。不过，现在FD-SOI已经成为当前的主流工艺之一，芯原也参与其中。”
 
目前，芯原在FD-SOI方面拥有丰富的解决方案。芯原22nm FD-SOI IP包括模数混合IP、RF IP和接口IP等。其中，模数混合IP包含59种不同方案，包括基础IP、DAC IP和接口等，目前已经向40家客户授权260多次FD-SOI IP核，为全球主要客户提供约30个芯片设计项目，25个项目正在生产中。比如，瑞萨RA 32位Cortex-M系列中的首款22nm MCU就采用了芯原的FD-SOI IP。
 
同时，戴伟民博士也分享了目前FD-SOI发展的一些前沿进展。此前，欧盟已经决定投资12nm FD-SOI，2022年7月12日，法国总统马克龙、欧盟专员、GlobalFoundries首席执行官托马斯·考尔菲尔德和意法半导体总裁兼首席执行官让-马克·奇瑞共同宣布，意法半导体和GlobalFoundries将在法国建造一座新的12英寸晶圆厂，用于12纳米FD-SOI，以推进FD-SOI生态系统。
 
此前，意法半导体与三星联合推出18nm FD-SOI技术。2024年3月19日，意法半导体和三星联合宣布采用18nm FD-SOI技术用于ePCM。
 
CEA-Leti宣布推出10nm和7nm FD-SOI中试生产线。2024年6月11日，CEA-Leti（法国）宣布推出FAMES中试生产线，该生产线将开发包括10nm和7nm FD-SOI在内的五套新技术。