IBS首席执行官再谈FD-SOI对AI的重要性，在≥12nm和≤28nm区间FD-SOI是更好的选择

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2024年10月23日，第九届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店召开，FD-SOI产业链产业上下游企业再次汇聚一堂，其中包括多位行业重量级嘉宾，比如IBS首席执行官Handel Jones。

IBS首席执行官Handel Jones
 

2023年第八届上海FD-SOI论坛，Handel Jones就曾受邀出席，当时他分享的主题是《为什么FD-SOI对生成式人工智能时代的边缘设备非常重要》，主要谈到FD-SOI技术的市场发展现状与趋势，尤其是该技术在AIGC时代的应用前景。通过具体分析和比较FD-SOI、Bulk CMOS和FinFET三种技术在不同工艺节点的晶体管成本，Handel Jones指出FD-SOI工艺在成本上更具优势。
 
在本届FD-SOI论坛，Handel Jones再一次谈到了FD-SOI技术对人工智能发展的重要性，分享的主题进一步扩展到《人工智能的影响，以及为何FD-SOI技术如此重要》。他在分享中表示，目前全球数据中心人工智能加速器市场在蓬勃发展，2020年市场规模为57亿美元，到2030年将暴涨到1328亿美元。目前，边缘AI加速器正在加速开发，高吞吐量和低功耗是主要的挑战，虽然产业界也在开发低功耗版本的CMOS和FinFET工艺，不过FD-SOI是更好的选择。
 
Handel Jones提到的第二个典型市场是智能手机和可穿戴设备市场，智能手机是汇集可穿戴设备信息的枢纽。在下一代设备开发的过程中，更出色的传感器是获得竞争力的关键，其中图像传感器可用于数字健康、智能交通和机器人等应用，而FD-SOI是打造领先图像传感器的理想工艺。
 
此外，Handel Jones还提到了电源管理、智能显示器、智能驾驶域处理器等案例，在这些案例中FD-SOI工艺都能够获得不错的市场机会。
 
Handel Jones今年的分享再一次重申了FD-SOI在低成本、低功耗和高性能方面的优势，能够帮助AI推理和机器学习更好地解决功耗、延迟/稳定性和成本等问题。而这样的例子在行业中也已经屡见不鲜，比如莱迪思公司基于FD-SOI实现的低功耗FPGA，还有ST公司基于FD-SOI实现的超低功耗MCU，这些器件都是FD-SOI在AIoT领域的典型产品。
 
Handel Jones表示，当前全球半导体仍处于高速发展的过程中，到2030年半导体市场将强劲增长至1.3万亿美元，其中生成式AI是主要的推动力量，将会广泛影响智能手机等终端设备。为了推动AI更好的发展，在≥12nm和≤28nm这个工艺区间，FD-SOI是更好的选择。