三星电子：18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

电子发烧友网报道（文/吴子鹏）今年上半年，三星在FD-SOI工艺上面再进一步。3月份，意法半导体（STMicroelectronics）宣布与三星联合推出18nm FD-SOI工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。
 
在FD-SOI领域，三星已经深耕多年，其和意法半导体之间的合作也已经持续多年。早在2014年，意法半导体就曾对外宣布，选择三星28nm FD-SOI工艺来量产自己的产品。意法半导体表示，相较于其现在使用的40nm eNVM技术，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺大幅提升了性能参数：其在能效上提升了50%，数字密度上提升了3倍，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。
 
在2024年第九届上海FD-SOI论坛上，三星电子18FDS工艺集成与项目经理Jinha Park更进一步分享了三星18FDS的一些特征性能。他表示，这些年，三星一直都在打磨自己的18FDS工艺，包括曾于2019年和Arm建成了当时业界第一个综合物理IP平台，包括一个位于18FDS (18nm FDSOI)的eMRAM编译器。三星18FDS工艺能够提供很多创新的特征性能，比如三星18FDS工艺原生支持3.3V，可以让外部设备使用更高的3.3V进行传输，相较于1.8V传输有着更高的传输速度和效率。

三星电子18FDS工艺集成与项目经理Jinha Park
 

 
第二个特征优势是，三星18FDS工艺提供混合STD（LVT/RVT/HVT），当前先进工艺都会提供不同的cell library，分为：LVT、RVT、SVT（ Standard V threshold ）、HVT ( High V threshold ) 等，让设计人员可以通过改变器件工艺角的方式来修复set up/hold violation等问题。三星18FDS工艺的这一特征能够帮助设计人员在不影响性能的情况下进一步优化芯片的功耗。
 
第三个特征优势是，三星18FDS工艺提供PPA（功率、性能和面积/成本）分析功能。PPA的优化一直是芯片设计的核心目标。然而，随着技术的不断进步和复杂系统的兴起，这些传统指标的相关性正逐渐减弱。也就是说，在当前的芯片设计工程中，PPA优化更具挑战性，三星18FDS工艺平台提供的分析功能可以帮助设计人员。
 
Jinha Park表示，当前FD-SOI工艺已经成为自动驾驶、消费电子、通讯、机器人和工业等领域的优质选择。三星18FDS工艺提供原生3.3V和低泄漏电流等核心功能，将会成为物联网和MCU领域的重要平台节点。