常用二极管和可控硅分类及参数

一、二极管特性

常用的硅锗二极管在不同正向电流下的正向电压值见表1。锗二极管比硅二极管正向导通电压低（典型为100mV比600mV），但反向漏电流大大超过硅二极管（当加50V反向电压时为1uA比10nA），但导通的硅二极管的正向电阻大大低于锗二极管。因此，锗二极管主要用于信号检波，硅二极管则用于整流等目的。

硅和锗二极管的典型正、反向特性比较见图1。各种二极管、桥式整流器外形见图2，图中尺寸单位为mm。

 

二、二极管命名

欧洲型半导体二极管用字母和数字来进行分类和命名，用两个字母和三个数字命名的是普通用途二极管，用三个字母和两个数字命名的是特殊用途二极管，前两个字母表示的意义如下：第一个字母表示半导体材料，A-锗;B-硅;C-砷化镓等;D-光敏材料等。

第二个字母表示用途，A-普通用途二极管;B-调谐（变容）二极管;E-隧道二极管;P-光电二极管;Q-发光二极管;T-可控整流管;X-变容二极管;Y-功率整流管;Z-稳压二极管。

专用二极管的第三个字母通常没有什么特殊意义，稳压二极管在数字后有一附加字母，用来表示稳压值公差，用以下字母表示：A-±1%;B-2%;C-±5%;D-±10%，稳压二极管有表示所稳电压值的数字，例如9V1表示9.1V。

例1.识别以下二极管：

l、AA113-普通用途锗二极管;

2、BB105-调谐用硅二极管（亦称变容二极管）;

3，BZY88C4V7-公差为5%稳压值为4.7V的硅稳压二极管。

三、二极管数据

表2概括了各种欧式二极管的用途及封装外形等特性;表3列出了普通用途、信号和射频二极管特性;表4列出硅整流和功率二极管特性;表5列出桥式整流器特性。

表5中所列多数桥式整流器具有200V、400V和600V品种。

 

四，稳压二极管

稳压二极管是一种特殊设计的硅二极管，具有一致的反向击穿特性。E12和E24系列稳压二极管可用于各种电路（根据其特性、封装和额定功率），稳压范围从2.4V到91V，一只5.1 V稳压管的典型特性见图3。

 

常用系列稳压管如下：

BZY88系列

500mW小型玻璃封装稳压二极管（25℃），稳压范围从2.7V到15V（5mA反向电流，25℃）。

BZX55系列

500mW低功率稳压二极管，稳压范围从2.4V到91V。

BZX61系列

1.3W密封合金结（25℃环境），稳压范围从7.5V到72V。

BZX85系列

1.3W中功率玻璃封装稳压二极管，稳压范围从5.1V到62V。

BZY93系列

20w大功率稳压二极管，螺栓安装封装，环境温度可达75℃，稳压范围从9.1V到75V。

BZY97系列

1.5W中功率稳压二极管，稳压范围从9.1V到37V。

1N5333系列5W塑封稳压二极管，稳压范围从3.3V到24V。

稳压二极管通常与普通硅二极管一样，采用塑料或玻璃封装，符号与外形见图3左上，稳压二极管的斜率电阻等于反向电压与二极管电流之比，斜率电阻在击穿区测量，用欧姆表示，理想的稳压二极管应具有零斜率电阻（即二极管在其稳压值上应完全导通），实际上仅达到小于或等于20Ω数量。

稳压电压温度系数等于稳压电压的变化比上温度的变化，用mV/℃表示。作电压基准用时，要求稳压值应不随温度改变而变动，表6为多数小功率稳压二极管（BZX55系列）典型数据。

 

例2.稳压二极管常用作电压基准，说明如下：

稳定电压（在20℃）：9.1V

温度系数：+4mV/℃

如果设计的电路工作在-10℃到+40℃范围，即以工作范围的极限基准电压来确定基准电压值和变化百分比。温度系数为正，稳压值将随温度升高而增加，40℃时，稳压值由下式算出：

Vz=9.1V+［（40-20）×V 4mV］=9.1+80mV=9.18V

在-10℃时，稳压值由下式算出：

Vz=9.1V-V［20-（-10）］×4mV=9.1 V-120mV=8.98V

五、可控硅

可控硅三端器件其符号、封装和端脚接法见图4，它常用作开关或交流功率控制，各种常用可控硅数据见表7。

 

六、双向可控硅

双向可控硅是在可控硅基础上发展起来的。当触发后，在所加电压的正、负两半周都导通，它由加于控制极上的正和负电压触发导通。在用于交流功率控制时，它与仅能作半波控制的可控硅相比，不仅能作全波控制，且性能优良。

双向可控硅常采用触发二极管（相当于双向稳压二极管），当所加电压超过约±32V时，触发二极管即导通，这时其电阻降至极低值，于是产生较大电流，其典型特性见图5。

 

双向可控硅符号、封装外形和端脚接法见图6，常用双向可控硅数据见表8。

 

注意事项：

可控硅和双向可控硅开关通断非常迅速，当用作交流功率控制时，快速开关引起的瞬态变化可能经交流馈电线传播一定距离。为防止噪声辐射，把这种影响减至最小，应在靠近功率控制器件处装入适当的L—C滤波器（见图7）。