tlp250工作原理（tlp250引脚图及功能_内部结构_封装尺寸及应用电路）

在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时，这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中，对IGBT驱动电路的要求相对比较简单，成本也比较低。

TLP250包含一个GaAlAs光发射二极管和一个集成光探测器，8脚双列封装结构。适合于IGBT或电力MOSFET栅极驱动电路。表1给出了其工作时的真值表。

表1  TLP250工作时的真值表

TLP250的典型特征

1）输入阈值电流（IF）：5mA（最大）；

2）电源电流（ICC）：11mA（最大）；

3）电源电压（VCC）：10～35V；

4）输出电流（IO）：±0.5A（最小）；

5）开关时间（tPLH/tPHL）：0.5μs（最大）；

6）隔离电压：2500Vpms（最小）。

TLP250管脚排列（俯视图）

TLP250电气参数

极限工作范围

建议工作条件

电特性

开关特性

TLP250的使用特点：

①TLP250输出电流较小，对较大功率IGBT实施驱动时，需要外加功率放大电路；

②由于流过IGBT的电流是通过其他电路检测来完成的，而且仅仅检测流过IGBT的电流，这就有可能对于IGBT的使用效率产生一定的影响，比如IGBT在安全工作区时，有时出现的提前保护等；

③要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快，一般由过电流发生到IGBT可靠关断应在10μS以内完成；

④当过电流发生时，TLP250得到控制器发出的关断信号，对IGBT的栅极施加一负电压，使IGBT硬关断。这种主电路的du/dt比正常开关状态下大了许多，造成了施加于IGBT两端的电压升高很多，有时就可能造成IGBT的击穿。

TLP250测试电路

TLP250应用电路

（一）由集成电路TLP250构成的驱动器电路图

（二）电路应用

在图1-18中，V1和V2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系，例如，电源电压为24V时，TR1和TR2的Icmax≥24/Rg。

TLP250驱动IGBT时，由于TLP250不具备过流保护功能，当IGBT过流时，通过控制信号关断IGBT，IGBT中电流的下降很陡，且有一个反向的冲击。这将会产生很大的di/dt和开关损耗，而且对控制电路的过流保护功能要求很高。

图1-17用于额定值1200V/50A以下IGBT的驱动

图1-18用于额定值1200V/50A以上IGBT的驱动

TLP250封装尺寸