sg3525怎样调脉宽_sg3525怎么调节占空比

SG3525的结构特性

SG3525脉宽调制控制器，不仅具有可调整的死区时间控制功能，而且还具有可编式软起动，脉冲控制封锁保护等功能。通过调节SG3525第6脚（RT）上的电流大小可以改变输出控制信号PWM的频率，调节第9脚（EAOUT）的电压可以改变输出脉宽，这些功能可以改善变频电源的动态性能和简化控制电路的设计。

SG3525内部结构

SG3525的内部结构见图1，由基准电压调整器、振荡器、误差放大器、比较器、锁存器、欠压锁定电路、闭锁控制电路、软起动电路、输出电路构成。

欠压锁定功能

基准电压调整器受15脚的外加直流电压VC的影响，当VC低于7V时，基准电压调整器的精度值就得不到保证，由于设置了欠压锁定电路，当出现欠电压时，欠压锁定功能使A端线由低电压上升为逻辑高电平经过或非门输出转化为P1=P2=ˉA+ˉB+ˉC+ˉD=0，SG3525的13脚输出为高电平，功率驱动电路输出至功率场效应管的控制脉冲消失，逆变器无电压输出。

系统的故障关闭功能

集成控制器SG3525内部的T3晶体管基极经一电阻连接10引脚。过流保护环节检测到的故障信号使10脚为高电平，由于T3基极与A端线相连，故障信号产生的关闭过程与欠电压锁定过程类似。在电路中，过流保护环节还输出一个信号到与门的输入端，当出现过流信号时，检测环节输出一低电平信号到与门的输入端，使脉冲消失，与SG3525的故障关闭功能一起构成双重保护。

软起动功能

软起动功能的实现主要由SG3525内部的晶体管T3和外接电容C3及锁存器来实现的。当出现欠压或者有过流故障时，A端线高电平传到T3晶体管基极，T3导通为8引脚外接电容C3提供放电的途径，C3经T3放电到零电压后，限制了比较器的PWM脉冲电压输出，电压上升为恒定的逻辑高电平，PWM高电平经PWM锁存器输出至D端线仍为恒定的逻辑高电平，C3电容重新充电之前，D端线的高电平不会发生变化，封锁输出。当故障消除后，A端线恢复为低电平正常值，T3截止，C3电容由50ΛA电流源缓慢充电，C3充电对PWM和D端线脉冲宽度产生影响，同时对P1和P2输出脉冲产生影响，其结果是使P1和P2脉冲由窄缓慢变宽，只有C3充电结束后，P1和P2的脉冲宽度才不受C3充电的影响。这种软起动方式，可使系统主回路电机及功率场效应管承受过大的冲击浪涌电流。

波形的产生及控制方式分析

SG3525内部的锯齿波作为载波信号Ut，外加的给定信号Ug作为调制信号由9脚输入，载波信号Ut和给定信号Ug叠加用于确定脉宽调制波的初始占空比，可控制逆变器输出电压的大小和极性。Ug可正可负，由模拟或数字调节器的输出来控制，可构成闭环自动控制系统。集成控制器SG3525的输出侧采用推拉式电路可使关断速度加快。当11脚、14脚与12脚连接时，PWM脉冲由13脚输出，这样能够保证13脚的输出与锁存器的输出一致。SG3525内部的电压波形如图2所示，锯齿波与调制波的交点比较功能由比较器完成，当Ut》Ur时，比较器输出的PWM波形由逻辑低电平变为高电平，当Ut《Ur时，比较器输出的PWM波形由逻辑高电平变为低电平，为保证PWM波宽不至于太窄，用PWM锁存器锁存高电平值，并在CP脉冲下跳时对锁存器清零，以进行下一个比较点的锁存。

延时回路

在可逆变换器中，跨接在电源US两端的上、下两个功率场效应管交替工作，由于功率场效应管的关断要有一定的时间。如果在此期间另一个功率场效应管已经导通，则将造成上下两管直通，从而使电源正负极短路。为了避免发生这种情况，设置了由R、C电路构成的逻辑延时环节。保证在对一个管子发出关闭脉冲后，延时2Λs左右的时间后再发出对另一个管子的开通脉冲。如图3所示。

Ua为SG3525的13脚输出占空比可调的脉冲波形（占空比调节范围不小于0.1～0.9），经过RC移相后，输出两组互为倒相、死区时间为4Λs左右的脉冲，经过驱动4只MOSFET管，其中VT1，VT4驱动信号相同，VT2，VT3驱动信号相同。

变频电源主电路中的单相整流桥与BooST斩波电路VT0和VD0结合，采用APFC控制技术对输入交流电进行有源功率因数校正的变换，形成高入端功率因数的整流器。逆变器电路采用MOSFET和辅助电路构成的H型桥式结构，通过PWM控制技术进行双极性变频变压变换形成串联谐振式逆变电源。变频电源控制器由单片机系统、SG3525和APFC校正电路以及隔离驱动等部分组成。

由霍尔电压传感器LEM1和霍尔电流传感器LEM2将负载电压和电流信号进行隔离转换，并由单片机通过A/D进行检测，作为闭环系统的反馈信号，单片机控制SG3525发出的PWM脉冲，来控制逆变器VT1，VT4和VT2，VT3轮流导通，从而控制逆变电压和逆变频率。其中VT1～VT4功率场效应管的型号为IRF840，开关频率为30MHz，VD1～VD4采用反相恢复时间较快的功率二极管50WF40F，主电路整流器二极管采用ZP6，反向的峰值电压为800V。