实际常见的电源应用有DCDC和LDO两种,与DCDC电路不同的是,LDO输出晶体管的工作状态是线性工作模式,并非开关模式。
今天我们主要针对NMOS和PMOS在LDO的应用原理来展开讲解,后续再对DCDC部分进行深入探讨。
LDO的工作原理
一般工作在线性区域的晶体管,可以把它当作是一个压控电流源,去控制电路并连续检测输出电压,然后根据负载的需求,进行调节电流源,确保输出电压能够保持在期望的数值。
电流源的设计极限就出现了作用:它限定了稳压器在保持电压调节作用的情况下,所能供应的最大负载电流。
NMOS型LDO
我们来看下面这张图:
在这个电路中,对输入与输出的压差构成限制的是,MOS管的门极与漏极之间的最小压差。
NMOS型LDO它采用了一对电阻来采样输出电压,并将其输送到误差放大器的输入端,与一个基准进行比较,然后在误差放大器中进行放大,最后产生一个电压信号来控制NMOS的门极。
(图为NMOS负载电流流向)
在50mA和3A的负载电流下,NMOS型LDO需要的静态电流差不多,尽管这种负载变化比较大,但静态电流几乎没有太多变化。
这是因为NMOS只用电压信号控制即可,而电压信号不需要消耗到误差放大器本身的电流。
因此,静态电流成为了NMOS型LDO最大的一个优势。
PMOS LDO
相比NMOS型LDO ,由于NMOS的源极和门极之间的导通门限,它的输入与输出之间的压差必须要大于这个导通门限,这个压差是很大的。这时,我们就可以运用PMOS型LDO,来减少这一部分的使能。
在PMOS里面我们需要门极电压低于源极电压才能让PMOS导通,并且这个压差 必须大于PMOS的导通门限,才能够保证在整个范围里,误差放大器能够把PMOS的门极拉到合适的电压范围。
由于主功率部分采用PMOS管,同样用电压来控制,因此,负载电流的变化,误差放大器的静态电流几乎也没有变化。
在这里我们可以看到,NMOS由于源极和门极之间这个导通门限,造成输入输出压差大的局限因素,PMOS型LDO驱动与它相比简单了许多。
总结:
NMOS型LDO可以提供快速瞬态响应,但是需要 两个偏置电源为器件供电。
PMOS型LDO可以实现压降,并且能够在单电源下运行。不过,在低输入电压下会受到传输晶体管VGS特性的限制,与此同时,它们还不具备高性能LDO所提供的许多保护功能。
常见的LDO 一般由P管构成,但LDO效率比较低,一般不走大电流应用。在一些大电流低压差的场景里,会使用N管类型的LDO。
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