近日,美国芯片大厂德州仪器(TI)宣布了一项重要进展。其位于日本会津的工厂已经正式投产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。这一举措标志着德州仪器在氮化镓功率半导体领域迈出了坚实的一步。
氮化镓作为一种新型半导体材料,具有出色的导电性能和耐高温特性,被广泛应用于高效率电源管理系统中。随着市场对高效率、低能耗产品需求的不断增长,氮化镓功率半导体市场需求持续扩大。
为了满足这一市场需求,德州仪器不断提升其氮化镓功率半导体的产能。通过会津工厂的新增产能,以及位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂产能的整合,德州仪器成功将其内部氮化镓功率半导体的产能提升了4倍以上。
此次产能的大幅提升,不仅将进一步巩固德州仪器在功率半导体领域的领先地位,同时也将为其客户提供更加可靠、高效的氮化镓功率半导体解决方案,助力全球电子产业的持续发展。
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