FIB技术在各领域的应用及其运作机制解析

双束聚焦离子束(FIB)系统概述
 

双束聚焦离子束(FIB)系统是一种集成了单束聚焦离子束和扫描电子显微镜(SEM)功能的高精度微纳加工技术。这种系统通过精确控制离子束与样品的相互作用，实现了对材料的微观加工和分析。FIB系统的核心组成部分包括离子源、离子光学系统、束描画系统、信号采集系统以及样品台。离子源产生带正电的离子，这些离子在静电透镜和偏转装置的作用下被聚焦并偏转，以实现对样品表面的精确扫描。样品加工过程中，加速的离子轰击样品表面，导致表面原子溅射，同时产生的二次电子和二次离子被探测器采集并用于成像。

 

设备布局与操作
 

双束FIB设备的设计通常有两种布局：一种是电子束竖直安装，另一种是离子束和电子束呈一定角度安装。在操作过程中，样品被放置在共心高度位置，这样可以同时进行电子束成像和离子束处理。样品台的倾转功能允许样品表面垂直于电子束或离子束，以适应不同的加工需求。

 

 

 

离子束显微镜的组件

 

离子束显微镜的关键组件包括液态金属离子源、离子引出极、预聚焦极、聚焦极、消像散电子透镜、扫描线圈、二次粒子检测器、活动样品基座、真空系统、抗振动及磁场设备、电路控制板和电脑等。液态金属离子源在外加电场的作用下形成细小尖端，导出离子束。通过电透镜聚焦和可变孔径光阑的调节，可以控制离子束的大小，进而实现对样品表面的精确加工。在一般工作电压下，尖端电流密度约为10^-4A/cm^2，离子束到达样品表面的束斑直径可达到7纳米。

 

 

FIB系统的应用领域
 

 

Dual Beam FIB-SEM业务，包括透射电镜( TEM)样品制备，材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等。

 

1.透射电子显微镜(TEM)样品制备：

适用于半导体薄膜、器件、金属材料、电池材料、二维材料、地质和陶瓷材料等。制备样品时，需要根据材料的特性选择合适的位置和方法。

 

2.截面分析：

利用FIB溅射刻蚀功能，芯片、LED等进行横截面观测和成分分析，结合元素分析(EDS)技术，提供精准的材料成分信息。

 

3.芯片修补与线路编辑：

在集成电路设计验证和缺陷修复中，FIB技术可以对特定区域进行精确的切割或沉积，实现电路的修改。

 

4.微纳结构制备：

FIB系统能够在微纳米尺度上制备复杂的功能性结构，如纳米量子电子器件、亚波长光学结构等。

 

 

5.三维重构分析：

通过逐层切割和成像，结合软件处理，实现材料的三维结构和成分分析。

 

6.原子探针样品制备：

用于原子探针断层扫描(APT)和纳米尺度化学成分分析，需要制备大高宽比、锐利的探针。

 

 

7.离子注入：

 

用于材料表面改性，如通过高能离子束注入单晶硅表面，改变其物理性质。

 

8.光刻掩膜版修复：

 

FIB系统可以修复掩膜版上的微小缺陷，延长其使用寿命，减少成本。

 

FIB技术的未来展望
 

FIB技术的发展极大地推动了微纳加工领域的进步，其高精度和多功能性使其成为现代科研和工业生产中不可或缺的工具。随着技术的不断进步，FIB系统的应用范围将进一步扩大，为材料科学、纳米技术、半导体工业等领域带来更多创新和突破。