氮化镓快充芯片U8765的主要特性

相信大家都清楚，轻载或空载状态下，开关损耗在转换效率中占主导地位。所以为了降低待机功耗，大部分电源芯片都采取载轻降频的控制方式。而芯片的控制方式可以说是决定待机功耗最重要的一环。氮化镓快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。

氮化镓快充芯片U8765主要特性：

& 集成高压 E-GaN

& 集成高压启动功能

& 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

& 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

& 集成 EMI 优化技术

& 驱动电流分档配置

& 集成 Boost 供电电路

& 集成完备的保护功能：

VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

输出过压保护 (OVP)

输入欠压保护 (BOP)

片内过热保护 (OTP)

逐周期电流限制 (OCP)

异常过流保护 (AOCP)

短路保护 (SCP)

过载保护 (OLP)

过流保护 (SOCP)

前沿消隐 (LEB)

CS 管脚开路保护

& 封装类型 ESOP-10W

氮化镓快充芯片U8765的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。U8765集成逐周期过流保护功能，在每个功率开关开通周期中，当电流达到OCP阈值VCS_MAX (典型值 -650mV/-600mV)时，功率开关立刻关闭。

氮化镓快充芯片U8765管脚定义：

1 HV P 高压启动管脚

2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚

3 Source P GaN FET 源极引脚

4 GND P 芯片参考地

5 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

6 FB I 系统反馈输入管脚

因为大部分的用电设备都长期工作在待机状态，所以电源除了效率以外，空载或者待机功耗也变得越来越重要了。这不仅因为各种各样的能效标准的执行，也确实很符合实际应用的需求。深圳银联宝科技新推出多款低功耗、低成本氮化镓快充芯片，集成有完备的保护功能，是快速充电器和适配器电源好帮手！