英飞凌在硅功率晶圆方面取得突破性进展

　　英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在半导体制造技术领域持续取得重大突破，继推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆及在马来西亚居林建立全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂后，再次宣布了一项新的里程碑成就。此次，英飞凌成功处理和加工了史上最薄的硅功率晶圆，该晶圆直径为300mm，厚度仅为20μm，相当于头发丝的四分之一，比当前最先进的40-60μm晶圆厚度减少了一半。

　　英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，这款全球最薄的硅晶圆彰显了英飞凌致力于推动功率半导体技术发展，为客户创造卓越价值的决心。这一突破标志着英飞凌在节能功率解决方案领域取得了重要进展，有助于充分发挥全球低碳化和数字化趋势的潜力。通过掌握Si、SiC和GaN这三种半导体材料，英飞凌进一步巩固了其在行业创新方面的领先地位。

　　这项创新技术将大幅提升功率转换解决方案的能效、功率密度和可靠性，广泛应用于AI数据中心、消费、电机控制和计算等领域。与传统硅晶圆解决方案相比，晶圆厚度减半可使基板电阻降低50%，从而减少功率系统中的功率损耗15%以上。对于高端AI服务器应用，超薄晶圆技术促进了基于垂直沟槽MOSFET技术的垂直功率传输设计，实现了与AI芯片处理器的高度紧密连接，提高了整体效率并减少了功率损耗。

　　英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White指出，新型超薄晶圆技术推动了英飞凌以最节能方式为不同类型的AI服务器配置提供动力的目标。随着AI数据中心能源需求的急剧上升，能效变得至关重要。基于中双位数的增长率，英飞凌预计其AI业务收入在未来两年内将达到10亿欧元。

　　为了克服将晶圆厚度降低至20μm的技术障碍，英飞凌工程师们创新了一种独特的晶圆研磨方法，极大地影响了薄晶圆背面的处理和加工。同时，他们还解决了晶圆翘曲度和晶圆分离等技术和生产挑战，确保晶圆稳定性和一流稳健性的后端装配工艺。20μm薄晶圆工艺基于英飞凌现有的制造技术，能够无缝集成到现有的大批量Si生产线中，保证高产量和供应安全性。

　　该技术已被应用于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转换器）中，并已交付给首批客户。同时，英飞凌还拥有与20μm晶圆技术相关的强大专利组合，进一步体现了其在半导体制造领域的创新领先地位。英飞凌预测，在未来三到四年内，现有的传统晶圆技术将被用于低压功率转换器的替代技术所取代。这一突破进一步巩固了英飞凌在市场上的独特地位，并为其提供了全面的产品和技术组合，覆盖了基于Si、SiC和GaN的器件，这些器件是推动低碳化和数字化的关键因素。