在半导体制造技术领域,英飞凌再次取得了新的里程碑。近日,该公司宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圆,这一突破性进展展示了英飞凌在半导体材料处理方面的卓越实力。
这款新推出的硅功率晶圆直径为300mm,厚度仅为20μm,相当于头发丝的四分之一,是目前市场上最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。这一创新不仅代表了半导体材料加工技术的极致,更为未来的电子产品设计提供了更多可能性。
此前,英飞凌已经宣布推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆,并在马来西亚居林建成了全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂。此次最薄硅功率晶圆的推出,进一步巩固了英飞凌在功率半导体领域的领先地位。
英飞凌表示,这款最薄硅功率晶圆的推出,将为电子产品带来更高的性能和更低的功耗,助力实现更广泛的应用场景。未来,英飞凌将继续致力于半导体技术的创新与发展,为全球客户提供更加优质的产品和服务。
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