江西萨瑞微荣获"2024全国第三代半导体制造最佳新锐企业"称号

快速发展与创新实力

在2024全国第三代半导体产业发展大会上,江西萨瑞微电子科技有限公司荣获"2024全国第三代半导体制造最佳新锐企业"称号。这一荣誉不仅是对公司技术创新和产业化成果的肯定,更彰显了萨瑞微在第三代半导体领域的领先地位。

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大会现场

 

大会汇聚了来自全国各地的半导体行业专家、学者和企业代表,共同探讨第三代半导体产业发展趋势和技术创新。作为行业新锐力量,萨瑞微总监应邀出席并作了题为《碳化硅MOSFET开发及展望》的主题演讲,分享了公司在碳化硅功率器件研发和产业化方面的经验与成果。

江西萨瑞微电子总监在大会上介绍了碳化硅MOSFET开发及展望。

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关于碳化硅MOSFET

 

演讲中,萨瑞微总监深入浅出地介绍了碳化硅MOSFET的技术特点、应用优势以及未来发展方向。他指出,碳化硅作为第三代半导体材料,在高温、高频、高压等极端环境下具有优异的性能,在新能源汽车、光伏逆变器、5G基站等领域有着广阔的应用前景。萨瑞微凭借自主研发的碳化硅MOSFET制造工艺,已实现多款产品的量产,并在多个应用领域取得突破。

碳化硅MOSFET的显著优势还在于能够大幅降低能量损耗和功率密度，其体积比同等规格的硅基MOSFET更小，功率模块因此更为小型化和轻量化。

 

 

碳化硅材料特性

 

 

萨瑞微SIC Device概述及特点：

萨瑞微提供650V-1200V SIC SBD和Planar SIC MOSFET 。

碳化硅材料宽禁带特性使SIC MOSFET可以承受极端高温工作环境，高热导率特性减少功率器件散热装置体积和数量，高击穿场强使SIC MOSFET在保证耐压条件下有更小导通电阻，高饱和速度使SIC MOSFET具有更高开关频率和更优异的反向恢复特性。

主要应用：

应用于光伏逆变器、新能源汽车、储能、充电桩等。

 伴随全球向电动化、低碳化转型需求增加，SiC MOSFET的应用前景将进一步扩大，尤其在新能源和高功率需求场景下，碳化硅技术将带动产业链上游从单晶衬底、外延片到功率器件等环节的整体发展。

 

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携手共进,共创美好未来

 

未来,萨瑞微将继续加大研发投入,推动碳化硅功率器件的技术创新和产业化进程,为中国第三代半导体产业的发展贡献力量。同时,公司将积极与产业链上下游企业合作,共同推动碳化硅器件在各个领域的应用,助力中国新能源和电力电子产业的快速发展。

此次荣获"最佳新锐企业"称号,是对萨瑞微过去努力的肯定,更是对未来发展的鞭策。我们将以此为新的起点,不断创新,为客户提供更优质的产品和服务,为第三代半导体产业的发展做出更大贡献!

最后,再次感谢组委会的认可和支持,感谢所有合作伙伴和客户的信任。让我们携手共进,共创第三代半导体的美好未来!