PD快充芯片U8722BAS可减少非必要能效损耗

YLBPD快充芯片U8722BAS可减少非必要能效损耗

 

GaN技术的零反向恢复特性(因为不存在体二极管)导致二极管反向偏置电流没有稳定时间，从而降低了死区损失，提高了效率。GaN的开关频率更高，电流纹波更低，这样就可以减小无源器件的尺寸，从而实现更平滑的电机驱动GaN设计。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。

 

集成E-GaN和驱动电流分档功能

PD快充芯片U8722BAS集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722BAS通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。U8722BAS系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。
 

谷底锁定及降频工作模式

PD快充芯片U8722BAS采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8722BAS采用了谷底锁定工作模式在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。随着负载的逐渐降低，系统导通的谷底个数逐渐增加，当谷底数超过6个时，不再检测谷底电压，系统进入降频工作模式，通过进一步降低开关频率，减小开关损耗，优化系统轻载效率。

U8722BAS

 

PD快充芯片U8722BAS凭借高级别的集成度和散热性能，可为手机和笔记本电脑充电器、电视电源、固态照明电源等领域，进一步简化和加速芯片尺寸紧凑、高功率密度的芯片应用开发。U8722BAS工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。