美投资8.25亿美元建设NSTC关键设施,重点发展EUV光刻技术

　　拜登政府已宣布一项重大投资决策，计划在纽约州的奥尔巴尼市投入8.25亿美元，用于建设国家半导体技术中心（NSTC）的核心设施。据美国商务部透露，奥尔巴尼的这一基地将特别聚焦于极紫外（EUV）光刻技术的研发。

　　NSTC作为美国顶尖的研发机构，其目标是推动半导体技术的革新，培养具备相关技能的劳动力，为这些新兴领域提供人才支持，并促进与私营企业和学术界的深度合作。

　　此次建设的首个设施被命名为“美国《芯片法案》EUV加速器”（CHIPS for America Extreme Ultraviolet Accelerator），它将落户于奥尔巴尼纳米技术综合大楼内。这座综合大楼占地面积超过165万平方英尺，由非营利机构——纽约研究中心、经济发展、技术、工程和科学中心（NY CREATES）负责管理。值得一提的是，该项目的资金来源于《芯片法案》，这是美国半导体行业28年来获得的最大一笔投资。

　　美国商务部长雷蒙多对此表示：“通过这一首个拟建的旗舰设施，《芯片法案》将为国家技术中心配备前沿的研究设备和工具，它的启动标志着美国在保持全球半导体研发和创新领先地位方面迈出了重要一步。”

　　EUV技术有望打破摩尔定律的限制，该定律预测集成芯片中的晶体管数量将每两年翻倍。鉴于当前最先进的处理器已在单个芯片上集成了超过1000亿个晶体管，业界急需进一步推动EUV光刻技术的发展，以在有限的空间内实现更高的晶体管密度。

　　目前，全球范围内仅有荷兰的ASML公司能够生产用于制造最新一代芯片所需的高数值孔径（High-NA）EUV设备。