电子说
霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。
霍尔元件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔线性器件的精度高、线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm 级),采用了各种补偿和保护措施,霍尔器件的工作温度范围宽,可达-55℃~150℃。
在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即UH =RH*I*B/δ,式中的RH称为霍尔系数,它表示霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。
霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比,即KH=RH/δ,它通常可以表征霍尔常数。
当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。
以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。
霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。
霍尔输出电极间的电阻值称为输出电阻。
在不施加磁场的条件下,环境温度每变化1℃时,电阻的相对变化率,用α表示,单位为%/℃。
在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下,在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。
在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下,在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。
霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率
在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时,霍尔电极输出除了交流不等位电势外,还有一直流电势,称寄生直流电势。
在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下,环境温度每变化1℃时,不等位电势的相对变化率。
在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下,环境温度每变化1℃时,不等位电势的相对变化率。它同时也是霍尔系数的温度系数。
霍尔元件工作时功耗每增加1W,霍尔元件升高的温度值称为它的热阻,它反映了元件散热的难易程度,
单位为: 摄氏度/w
无刷电机霍尔传感器AH44E
开关型霍尔集成元件,用于无刷电机的位置传感器。
引脚定义(有标记的一面朝向自己):(左)电源正;(中)接地;(右)信号输出
体积(mm):4.1*3.0*1.5
安装时注意减少应力与防静电
从原理看:
VH=KHIB
KH称为灵敏度。单位为mV/(mA.G)
实际的霍尔元件,通常分为开关型或线性型两种,开关型一般不标称灵敏度。线性型通常电流I由内部电路决定。因此,灵敏度的定义发生了变化。
VH=KHB。单位变为mV/G
一般在1~5mV/G,假设供电电流为10mA,也可转变为:
KH=0.1~0.5mV/(mA.G)
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