益登科技受邀参加意法半导体工业峰会

描述

意法半导体一年一度的工业峰会于近日在深圳福田香格里拉大酒店举办,工业峰会是意法半导体充分展示工业产品技术和解决方案广度和深度的顶级盛会,今年已经进行到第六届,延续了“激发智能,持续创新”这一主题,聚焦智能电源和智能工业,构筑可持续未来。全天通过28场技术演讲向参会业者展示150多款面向自动化、电源与电源和电机控制三大市场的方案演示。益登作为赞助商之一参与其中,并通过活动相关推送媒介向业界展示其基于意法半导体STM32G4的30kW SiC高性能电动汽车充电器解决方案。

随着电动汽车电池电量和电压的增加,对电动汽车充电的要求越来越高。意法半导体为客户提供先进的整体元器件(SiC MOSFET/SiC二极管/STGAP/STM32)解决方案,其30kW Vienna PFC+LLC解决方案可实现98.8%的峰值效率,DCDC解决方案可实现98%的峰值效率。

30 kW AD-DC数字控制解决方案——带数字控制的30 kW三相Vienna PFC整流器参考设计(STDES-30KWVRECT)

解决方案框图

SiC

解决方案主要包含以下几款意法半导体的产品

STM32G474(32位MCU)

SCT018W65G3-4AG(12 x 20.7mΩ SiC MOSFET)

STPSC40H12C(6 x SiC二极管)

STGAP2SiC(电绝缘栅极驱动器)

主要特点

输入交流电压:三相345 VAC至460 VAC,47 Hz至63 Hz

最大输入电流:55 ARMS

直流输出电压800 VDC,额定输出功率30kW

正常情况下峰值效率为98.70%

满负荷运行时功率因数为0.99,THD低于3%

STM32G474:高性能32位MCU

功率密度:48.8W/in³

主要优势

基于SiC器件的解决方案;实现更高的效率

使用并联SiC MOSFET实现更高功率,均衡共享电流

基于STM32G4的全数字电源解决方案,用于Vienna拓扑控制

30kW DC-DC数字控制解决方案——30kW三相交错LLC解决方案

解决方案框图

SiC

解决方案主要包含以下几款意法半导体的产品:

MCU:STM32G474VET6

SiC MOSFET:SCT025W120G3-4AG

超快二极管:STTH60RQ06W

栅极驱动器:STGAP2SICS

肖特基二极管:STTH1L06A、STPS1150A、STPS2H100A、STPS2L60A

GPA:LM393DT、LD29080DT50R、LD29080DT33R、TSV9121DT

主要特点

输出电压范围:200-1000VDC最大电流:100A

输出功率:最大30kW

目标峰值效率:98%

尺寸(W*L*H):285mm*415mm*70mm

功率密度50W/in³

风扇冷却

主要优势

基于SiC器件的解决方案;实现更高的效率

单电路使用较少的SiC MOSFET,实现更高功率

宽范围和高输出电压

 

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