麻省理工学院研发全新纳米级3D晶体管,突破性能极限

　　11月7日，有报道称，美国麻省理工学院的研究团队利用超薄半导体材料，成功开发出一种前所未有的纳米级3D晶体管。这款晶体管被誉为迄今为止最小的3D晶体管，其性能与功能不仅与现有的硅基晶体管相当，甚至在某些方面还超越了后者。

　　晶体管作为现代电子设备和集成电路的核心组件，扮演着放大和切换电信号等重要角色。然而，长期以来，硅基晶体管一直受到“玻尔兹曼暴政”这一物理定律的限制，无法在过低的电压条件下正常运作，这极大地阻碍了其性能的提升和应用范围的拓展。

　　为了打破这一瓶颈，麻省理工学院的科研团队另辟蹊径，采用了由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料，打造出这款全新的3D晶体管。这款晶体管不仅性能达到了硅晶体管的顶尖水平，而且能在远低于传统晶体管的电压下高效运行。

　　此外，团队还创新性地引入了量子隧穿原理，优化了晶体管的架构设计。在量子隧穿效应的作用下，电子能够轻松穿越能量势垒，从而显著提高了晶体管的开关灵敏度。为了进一步缩小晶体管的尺寸，科研人员精心构建了直径仅为6纳米的垂直纳米线异质结构，使得晶体管更加小巧且精致。

　　经过严格的测试，这款新型晶体管在状态切换方面表现出色，其速度和效率令人惊叹。与同类隧穿晶体管相比，其性能更是提升了20倍。这款晶体管充分利用了量子力学的独特优势，在极其有限的空间内（几平方纳米），实现了低电压操作与高性能表现的完美结合。

　　由于其微小的尺寸，未来可以在计算机芯片上集成更多的此类晶体管，从而为研发出性能更强大、能耗更低且功能更丰富的电子产品提供坚实的基础。