2025年DRAM展望:位元产出大增25%,HBM成新增长极但供应紧张

　　经历2024年前三个季度的库存消化和价格回升后，DRAM产业在第四季度的价格动能开始减弱。TrendForce集邦咨询的资深研究副总吴雅婷指出，由于部分供应商在2024年盈利后着手规划新增产能，预计2025年整个DRAM产业的位元产出将实现25%的年度增长，这一增幅相较于2024年更为显著。

　　TrendForce集邦咨询的最新调查显示，DRAM产业结构正变得越来越复杂。除了现有的PC、服务器（Server）、移动设备（Mobile）、图形（Graphics）和消费级（Consumer）DRAM之外，还新增了高带宽存储器（HBM）这一品类。吴雅婷强调，在三大DRAM原厂中，SK hynix（SK海力士）因HBM产品的强劲表现而大幅提升了利润，并计划在2025年增加最多的新产能。整体来看，2025年DRAM产业的位元产出预计将增加25%。

　　HBM已成为DRAM产业的重要驱动力，这主要得益于人工智能（AI）的需求增长。如果不考虑HBM产品，2025年传统DRAM（Conventional DRAM）的位元产出预计将实现20%的年度增长。而仅从三大原厂的传统DRAM位元产出来看，明年预计将增长15%，这一增速在历年情况中属于偏低水平。传统DRAM包括DDR5、DDR4、LPDDR4、LPDDR5、图形和消费级DRAM。

　　TrendForce集邦咨询指出，2025年DRAM产业的位元供给将十分充足。如果市场需求不如预期，供应商将面临较大的跌价压力。其中，LPDDR4x和DDR4这两项产品的价格压力将明显高于其他类别。此外，明年HBM的供货将持续紧张，尤其是HBM3e的情况最为严重。