群联欲大幅征才200名工程师，进一步扩产3D NAND

NAND Flash(储存型快闪存储器)随着2D转3D制程良率改善，量产能力大为提升，尽管价格已经松动，但包括存储器、控制IC、封测等供应体系业者纷纷看好有助于量能提升。存储器控制IC大厂群联电子看好64层3D NAND成为今年主流，往后则迈进96层堆叠，群联今年也持续持升研发能量，预计大幅征才超过200名研发工程师。 

群联发言体系表示，需求职缺包括挥发性存储器元件工程师、韧体演算法工程师、软件设计工程师、数位IC设计工程师、类比IC设计工程师、系统应用∕FAE工程师、IC Layout工程师与业务专员等，包括台、清、交、成等各大专院校人才都以广纳百川的态度，希望优秀研发人才加入群联电子行列，既使是无经验、具有硕士学位者，有机会年薪达到新台币百万元水准。 

存储器业者表示，2018年智能型手机主打如AI、AR、生物辨识、4K HDR影片录制等新应用，手机用存储器容量提升至128GB甚至上看256GB。如Android阵营的龙头品牌内嵌式存储器eMMC/eMCP的储存容量规格提升至128GB，三星电子、苹果则搭载256GB的UFS内嵌式存储器，高容量存储器蔚为趋势，64层堆叠3D NAND将成为主流，并且进一步往96层迈进。

由于2D NAND Flash之物理极限使得容量大多限于128GB，随着2D转3D NAND制程良率的提升，以立体堆叠方式扩增容量的256GB以上快闪存储器量能将会冲出，市场估计，手机品牌业者也会在后续发表的新机中搭载更高容量的存储器。 

群联电子相关业者认为，64层的3D NAND Flash将为今年最大宗之主流技术，群联已经推出可支援该制程技术的高速UFS控制芯片之外，而既有eMMC/eMCP全系列控制芯片皆同步支援东芝阵营及美光阵营的64层3D NAND Flash，另方面，进一步支援次世代的96层3D NAND Flash之先进制程技术的控制芯片亦有机会在2018年底接棒推出，全力锁定智能手持装置、车用电子等领域。 

市场估计，群联2017年发放股利可望达到新台币16元水准，不过发言体系仅表示会在今年3月底前揭露股利政策，对预测数字则不多做公开评论。